[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成掩膜层；

在所述掩膜层的侧壁形成补偿侧墙；

以所述掩膜层和补偿侧墙为掩膜，刻蚀所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部；

去除所述补偿侧墙；

去除所述补偿侧墙后，在所述鳍部露出的衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺去除所述补偿侧墙。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述补偿侧墙和鳍部之间的刻蚀选择比大于5:1。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述补偿侧墙的步骤包括：形成保形覆盖所述掩膜层和基底的侧墙材料层；

去除位于所述掩膜层顶部以及基底上的所述侧墙材料层，保留所述掩膜层侧壁的剩余侧墙材料层作为补偿侧墙。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙材料层的工艺包括原子层沉积工艺、炉管工艺或化学气相沉积工艺。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向异性的刻蚀工艺进行刻蚀，去除位于所述掩膜层顶部以及基底上的所述侧墙材料层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向异性的刻蚀工艺的纵向刻蚀速率和横向刻蚀速率的比值大于5:1。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除位于所述掩膜层顶部以及基底上的所述侧墙材料层的步骤中，所述侧墙材料层和所述掩膜层之间的刻蚀选择比大于3:1。

9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述补偿侧墙和所述掩膜层之间的刻蚀选择比大于3:1。

10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀工艺包括湿法刻蚀工艺或远程等离子体刻蚀工艺。

11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述补偿侧墙的材料为氧化硅；

所述各向同性刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述补偿侧墙的材料包括氧化硅、无定形碳、氧化铪和氮化钛中的一种或多种。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括氮化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼和碳氮化硼中的一种或多种。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述掩膜层的侧壁形成补偿侧墙的步骤中，沿垂直于所述掩膜层侧壁的方向，所述补偿侧墙的厚度为至

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述鳍部露出的衬底上形成隔离层的步骤包括：采用流动性化学气相沉积工艺或高纵宽比沉积工艺，在所述鳍部之间填充隔离材料层。

16.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

鳍部，位于所述衬底上；

掩膜层，位于所述鳍部顶部；

补偿侧墙，位于所述掩膜层露出的所述鳍部顶部，且覆盖所述掩膜层的侧壁，所述补偿侧墙和掩膜层共同作为形成所述鳍部的刻蚀掩膜。