[发明专利]一种能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法

权利要求书

1.一种能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法，其特征在于，包括：

在N+衬底层(1)的上表面生长N-漂移层(2)；

在所述N-漂移层(2)内进行离子注入以在所述N-漂移层(2)内的两端分别形成第一P阱(3)和第二P阱(4)，所述第一P阱(3)和所述第二P阱(4)的中间区域为JFET区(5)；

在所述第一P阱(3)和所述第二P阱(4)内分别进行离子注入以在所述第一P阱(3)内形成第一N+源区(6)、在所述第二P阱(4)内形成第二N+源区(7)；

在所述第一P阱(3)和所述第二P阱(4)内分别进行离子注入以在所述第一P阱(3)内形成第一P+接触区(8)、在所述第二P阱(4)内形成第二P+接触区(9)，且所述第一P+接触区(8)位于所述第一N+源区(6)远离所述JFET区(5)的一端、所述第二P+接触区(9)位于所述第二N+源区(7)远离所述JFET区(5)的一端；

在所述第一P阱(3)、所述第二P阱(4)、所述JFET区(5)、所述第一N+源区(6)、所述第二N+源区(7)、所述第一P+接触区(8)和所述第二P+接触区(9)的上表面生长N+纳米薄层(10)。

2.根据权利要求1所述的能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法，其特征在于，在所述第一P阱(3)、所述第二P阱(4)、所述JFET区(5)、所述第一N+源区(6)、所述第二N+源区(7)、所述第一P+接触区(8)和所述第二P+接触区(9)的上表面生长N+纳米薄层(10)，包括：

采用分子束外延法在所述第一P阱(3)、所述第二P阱(4)、所述JFET区(5)、所述第一N+源区(6)、所述第二N+源区(7)、所述第一P+接触区(8)和所述第二P+接触区(9)的上表面生长所述N+纳米薄层(10)。

3.根据权利要求1所述的能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述N+纳米薄层(10)的厚度为15nm～30nm。

4.根据权利要求1所述的能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法，其特征在于，在在所述第一P阱(3)、所述第二P阱(4)、所述JFET区(5)、所述第一N+源区(6)、所述第二N+源区(7)、所述第一P+接触区(8)和所述第二P+接触区(9)的上表面生长N+纳米薄层(10)之后，还包括：

将所述N+纳米薄层(10)在1200℃温度下进行干氧氧化1小时；

将干氧氧化的所述N+纳米薄层(10)在950℃温度下进行湿氧氧化1小时；

通过对湿氧氧化后的所述N+纳米薄层(10)进行光刻和刻蚀处理得到栅氧化层(11)。

5.根据权利要求4所述的能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法，其特征在于，在通过对湿氧氧化后的所述N+纳米薄层(10)进行光刻和刻蚀处理得到栅氧化层(11)之后，还包括：

通过低压热壁化学气相淀积法在所述栅氧化层(11)的上表面淀积多晶硅；

通过对所述栅氧化层(11)上的多晶硅进行光刻和刻蚀处理得到多晶硅栅(12)。

6.根据权利要求5所述的能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法，其特征在于，在通过对所述栅氧化层(11)上的多晶硅进行光刻和刻蚀处理得到多晶硅栅(12)之后，还包括：

在所述第一N+源区(6)、所述第一P+接触区(8)、所述第二N+源区(7)和所述第二P+接触区(9)的上表面淀积第一金属形成源电极(13)，其中，

所述源电极(13)的一部分位于部分所述第一N+源区(6)的上表面和所述第一P+接触区(8)的上表面，所述源电极(13)的另一部分位于部分所述第二N+源区(7)的上表面和所述第二P+接触区(9)的上表面。

7.根据权利要求6所述的能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法，其特征在于，在在所述第一N+源区(6)、所述第一P+接触区(8)、所述第二N+源区(7)和所述第二P+接触区(9)的上表面淀积第一金属形成源电极(13)之后，还包括：

在所述N+衬底层(1)的下表面淀积第二金属形成漏电极(14)。