[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其包括：

支承构件，其用于支承基板；

处理液喷嘴，其用于将所述处理液供应至支承于所述支承构件的所述基板；

加热构件，其用于加热支承于所述支承构件的所述基板；和

控制器，其用于控制所述加热构件，以在处理所述基板的情况下至少一次地改变用于所述基板的加热温度。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，以针对支承于所述支承构件的所述基板重复地执行高温加热和低温加热。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得所述低温加热中的温度比所述高温加热中的温度低1/2。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，以在所述低温加热之后执行所述高温加热。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得当出现至少两个执行所述高温加热的区段时，所述至少两个执行所述高温加热的区段具有相同的持续时间。

6.根据权利要求2-4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得当出现至少两个执行所述高温加热的区段时，所述至少两个执行所述高温加热的区段具有彼此不同的持续时间。

7.根据权利要求2-4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得当出现至少两个执行所述低温加热的区段时，所述至少两个执行所述低温加热的区段具有相同的持续时间。

8.根据权利要求2-4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得当出现至少两个执行所述低温加热的区段时，所述至少两个执行所述低温加热的区段具有彼此不同的持续时间。

9.根据权利要求2-4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得执行所述高温加热的区段与执行所述低温加热的区段具有相同的持续时间。

10.根据权利要求2-4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得所述低温加热中的温度包括所述低温加热中的第一温度、和所述低温加热中的第二温度，所述低温加热中的所述第二温度低于所述低温加热中的所述第一温度。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得所述低温加热中的所述第一温度与所述低温加热中的所述第二温度之间的差异被形成为小于所述低温加热中的所述第一温度与所述高温加热中的温度之间的差异。

12.根据权利要求2-4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得所述高温加热中的温度包括所述高温加热中的第一温度、和所述高温加热中的第二温度，所述高温加热中的所述第二温度低于所述高温加热中的所述第一温度。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述加热构件，使得所述高温加热中的所述第一温度与所述高温加热中的所述第二温度之间的差异被形成为小于所述高温加热中的所述第二温度与所述低温加热中的温度之间的差异。

14.根据权利要求2-4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制器还控制所述支承构件，并且

其中，所述控制器控制所述加热构件和所述支承构件，使得支承于所述支承构件的所述基板的旋转速度，在执行所述高温加热的区段中比在执行所述低温加热的区段中更慢。