[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

提供了一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置包括支承构件、处理液喷嘴和控制器，支承构件用于支承基板，处理液喷嘴用于供应处理液至定位在支承构件上的基板，控制器用于控制处理液喷嘴使得在低流量供应段和高流量供应段中将供应至基板的处理液不同地排出，高流量供应段中的每小时平均排出量多于低流量供应段中的每小时平均排出量。

相关申请的交叉引用

本申请是申请日为2018年10月12日、申请号为201811191785.X、名称为“基板处理装置和基板处理方法”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本文中描述的本发明构思的实施例涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

为了制造半导体设备和液晶显示器，已经执行了诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁工艺等各种工艺。其中，从形成在基板上的薄膜去除不必要区域的蚀刻工艺需要相对于薄膜更高的选择比和更高的蚀刻速率。此外，在以上工艺期间，可以执行对基板执行热处理的工艺。

通常，蚀刻工艺或清洁工艺主要通过依序执行化学处理步骤、漂洗处理步骤和干燥处理步骤来执行。根据化学处理步骤，将形成在基板上的薄膜蚀刻或将化学制品供应至基板从而从基板去除异物。根据漂洗处理步骤，将漂洗液供应到基板上，该漂洗液为纯水。当使用流体处理基板时，可以将基板加热。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法，其能够有效地处理基板。

根据一示例性实施例，可以提供一种基板处理装置，其包括支承构件、处理液喷嘴和控制器，支承构件用于支承基板，处理液喷嘴用于供应处理液至定位在支承构件上的基板，控制器用于控制处理液喷嘴，使得在低流量供应段和高流量供应段中将供应至基板的处理液不同地排出，高流量供应段中的每小时平均排出量多于低流量供应段中的每小时平均排出量。

此外，控制器可控制处理液喷嘴从而停止在低流量供应段中排出处理液。

另外，基板处理装置还可包括加热构件，其用于加热定位在支承构件上的基板。

此外，控制器可控制加热构件，使得高流量供应段中的加热构件的加热温度低于低流量供应段中的加热构件的加热温度。

另外，加热构件可设置为安装在支承构件上的灯具。

另外，加热构件可以是定位在支承构件中的电阻加热型热丝。

此外，加热构件可以是激光源，用于向支承构件照射激光。

此外，加热构件可在基板的旋转中心和基板的端部之间的整个区域中以线束的形式照射激光。

另外，处理液可以是磷酸。

另外，支承构件可旋转性地设置，且控制器可控制支承构件，使得高流量供应段中的支承构件的旋转速度高于低流量供应段中的支承构件的旋转速度。

根据一示例性实施例，可以提供一种基板处理方法，其包括通过供应处理液至基板来处理基板，且可在低流量供应段和高流量供应段中将处理液不同地供应至基板，高流量供应段中的每小时平均排出量多于低流量供应段中的每小时平均排出量。

此外，低流量供应段中的每小时平均排出量可等于或小于高流量供应段中的每小时平均排出量的一半。

另外，可以停止在低流量供应段中将处理液排出至基板。

此外，可以在低流量供应段中而不是高流量供应段中在更高温度下将基板加热。

另外，可以在高流量供应段而不是低流量供应段中以更高的速度使基板旋转。

此外，处理液可以是磷酸。

附图说明