[发明专利]测试磁芯的成型模具、设备及成型工艺在审
申请号: | 202010727864.9 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN111822701A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 李立新;陈叶;柯绍钧;彭焕林 | 申请(专利权)人: | 中山市华佑磁芯材料有限公司 |
主分类号: | B22F3/03 | 分类号: | B22F3/03;B22F5/00;H01F27/255;H01F41/02 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 肖军 |
地址: | 528454 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 成型 模具 设备 工艺 | ||
1.测试磁芯的成型模具,其特征在于,包括:
模具本体(10),其内设置有模腔,所述模腔内设置有用于制成产品(20)的成型区,所述成型区与所述模腔的一侧壁之间具有间距(30),所述产品(20)在成型时能够通过所述间距(30)于其U型开口处形成有一连接部(21)。
2.根据权利要求1所述的测试磁芯的成型模具,其特征在于,所述模腔为长方形结构,所述成型区包括第一成型面(11)和第二成型面(12),所述第一成型面(11)低于所述第二成型面(12),所述第二成型面(12)依次划分为第一区域(121)和两个第二区域(122),两个所述第二区域(122)关于所述第一区域(121)对称设置,且所述第二区域(122)的上表面低于所述第一区域(121)的上表面,所述第一区域(121)的前端延伸至所述第一成型面(11),且所述第一区域(121)于其中部设置有与所述模腔两侧面连接的凸起部(123),所述间距(30)位于所述凸起部(123)的后端部与所述模腔的后侧壁之间。
3.根据权利要求2所述的测试磁芯的成型模具,其特征在于,所述模具本体(10)包括:
上型(40),所述上型(40)的一端面设置有第一凹模(41),所述第一凹模(41)的中部设置有凹陷部(42),所述凹陷部(42)的后端部至所述上型(40)的外侧面具有第一间距(31);
母型(50),所述母型(50)上设置有模孔(51);
下型组件(60),所述下型组件(60)结构插装于所述模孔(51),所述下型组件(60)与所述模孔(51)配合形成有第二凹模(61),所述第一凹模(41)和所述第二凹模(61)围成所述模腔,所述凸起部(123)设置于所述下型组件(60),所述凸起部(123)的后端部与所述第二凹模(61)之间具有第二间距,所述第一间距(31)与所述第二间距(32)配合以形成所述间距(30)。
4.根据权利要求3所述的测试磁芯的成型模具,其特征在于,所述下型组件(60)包括:
中棒(62),所述凸起部(123)位于所述中棒(62)的中部并能够插设于所述凹陷部(42),所述凸起部(123)包括所述中棒(62)的顶面沿轴向延伸的第一凸台和所述中棒(62)的侧面沿径向延伸的第二凸台;
下型(63),所述下型(63)上设置有与所述中棒(62)相适配且偏离中部的插装通道(631),所述插装通道(631)为矩形结构,所述插装通道(631)上相对的两侧的侧壁于端部呈阶梯状,所述插装通道(631)的另一侧壁上对应所述第二凸台设置有凹槽(632),所述第二间距(32)位于所述插装通道(631)上与所述凹槽(632)相对的一侧壁至所述下型(63)的外侧面之间,所述中棒(62)插设于所述插装通道(631),且所述下型(63)最顶面低于所述中棒(62)的顶面。
5.根据权利要求3或4所述的测试磁芯的成型模具,其特征在于,所述凹陷部(42)为贯穿所述上型(40)的孔道,所述上型(40)的横截面为回字型。
6.根据权利要求5所述的测试磁芯的成型模具,其特征在于,所述凸起部(123)的上端面至所述第二凹模(61)的底面的垂直距离值小于所述孔道的轴向长度值。
7.根据权利要求4所述的测试磁芯的成型模具,其特征在于,所述中棒(62)的底部连接有第一基座(621),所述中棒(62)偏心设置于所述第一基座(621)。
8.根据权利要求3所述的测试磁芯的成型模具,其特征在于,所述模孔(51)的边缘设置有与所述第二凹模(61)配合的喷料斜槽(52)。
9.设备,其特征在于,包括权利要求1至8任一项所述的测试磁芯的成型模具。
10.成型工艺,其特征在于,采用权利要求9所述的设备,包括如下步骤:
成型,通过将成型材料放置于所述模腔并烧结以初步获得产品(20);
修边,去除步骤中获得的产品(20)的多余边料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山市华佑磁芯材料有限公司,未经中山市华佑磁芯材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010727864.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。