[发明专利]界面错配度计算方法及装置在审

专利信息
申请号: 202010728258.9 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN112001063A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 张志波;温丽涛 申请(专利权)人: 广东省材料与加工研究所
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郭浩辉;麦小婵
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 界面 错配度 计算方法 装置
【权利要求书】:

1.一种界面错配度计算方法,其特征在于,包括:

建立两相晶体结构模型;

根据所述两相晶体结构模型选取两相晶面;

根据所述两相晶面选取两相晶向;

根据所述两相晶向获取两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角;

根据所述两相对应晶向原子间距和所述两相对应晶向原子夹角,计算界面错配度。

2.根据权利要求1所述的计算方法,其特征在于,所述两相包括基底相和形核相。

3.根据权利要求1或2所述的计算方法,其特征在于,所述对应晶向包括第一晶向、第二晶向和第三晶向。

4.根据权利要求1或2任一所述的计算方法,其特征在于,还包括:根据所述界面错配度和预设阈值,获取界面关系。

5.根据权利要求1或2任一所述的计算方法,其特征在于,所述两相对应晶向原子夹角为锐角。

6.根据权利要求1或2任一所述的计算方法,其特征在于,所述根据所述两相对应晶向原子间距和所述两相对应晶向原子夹角,计算界面错配度,包括:

根据所述两相对应晶向原子间距和所述两相对应晶向原子夹角,计算第一晶向错配度;

根据所述两相对应晶向原子间距和所述两相对应晶向原子夹角,计算第二晶向错配度;

根据所述两相对应晶向原子间距和所述两相对应晶向原子夹角,计算第三晶向错配度;

根据所述第一晶向错配度、所述第二晶向错配度和所述第三晶向错配度,计算界面错配度。

7.根据权利要求6所述的计算方法,其特征在于,所述根据所述第一晶向错配度、所述第二晶向错配度和所述第三晶向错配度,计算界面错配度,包括:

根据所述第一晶向错配度、所述第二晶向错配度和所述第三晶向错配度,计算所述第一晶向错配度、所述第二晶向错配度和所述第三晶向错配度的平均值;

根据所述第一晶向错配度、所述第二晶向错配度和所述第三晶向错配度的平均值,计算所述界面错配度。

8.根据权利要求1所述的计算方法,其特征在于,还包括:根据所述界面错配度获取所述界面错配度与过冷度的关系。

9.一种材料界面错配度计算装置,其特征在于,包括:

建立模块,用于建立两相晶体结构模型;

晶面模块,用于根据所述两相晶体结构模型选取两相晶面;

晶向模块,用于根据所述两相晶面选取两相晶向;

获取模块,用于根据所述两相晶向获取两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角;

计算模块,用于根据所述两相对应晶向原子间距和所述两相对应晶向原子夹角,计算界面错配度。

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