[发明专利]界面错配度计算方法及装置

说明书

本发明提供一种界面错配度计算方法及装置，该方法包括：建立两相晶体结构模型；根据两相晶体结构模型选取两相晶面；根据两相晶面选取两相晶向；根据两相晶向获取两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角；根据两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角，计算界面错配度。本发明通过选取两相晶体的晶面和晶向，获取对应晶向原子间距和对应晶向原子夹角，计算界面错配度，从而判断界面关系。

技术领域

本发明涉及材料结构表征及建模计算领域，尤其涉及一种界面错配度计算方法及装置。

背景技术

界面是不同原子阵列的结合处，广泛存在于金属合金、复合材料、膜材料等，界面关系都对材料加工、性能和应用服役都有着重要影响，可以通过调控界面结构获取性能优异的材料，但界面结构表征量化存在诸多问题。界面错配度作为最基础的界面结构参数，现有的量化表征方法需要判断出基底相与形核相，较为复杂且应用场景局限在凝固过程，更为严重的是相同的界面结构其量化值却不一定是唯一的。因此，准确计算材料界面错配度，从而获取界面关系成为目前需要解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种界面错配度计算方法及装置，用于解决现有技术计算复杂且应用场景局限，针对某一具体界面晶体结构，其界面错配度却不一定是唯一的，无法准确量化表征界面结构，从而影响材料界面结构表征。

第一方面，本发明提供一种界面错配度计算方法，包括：

建立两相晶体结构模型；

根据两相晶体结构模型选取两相晶面；

根据两相晶面选取两相晶向；

根据两相晶向获取两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角；

根据两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角，计算界面错配度。

可选地，两相包括基底相和形核相。

可选地，对应晶向包括第一晶向、第二晶向和第三晶向。

可选地，根据界面错配度和预设阈值，获取界面关系。

可选地，两相对应晶向原子夹角为锐角。

可选地，根据两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角，计算第一晶向错配度；

根据两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角，计算第二晶向错配度；

根据两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角，计算第三晶向错配度；

根据第一晶向错配度、第二晶向错配度和第三晶向错配度，计算界面错配度。

可选地，根据第一晶向错配度、第二晶向错配度和第三晶向错配度，计算第一晶向错配度、第二晶向错配度和第三晶向错配度的平均值；

根据第一晶向错配度、第二晶向错配度和第三晶向错配度的平均值，计算界面错配度。

可选地，根据界面错配度获取界面错配度与过冷度的关系。

另一方面，本发明提供一种界面错配度计算装置，包括：

建立模块，用于建立两相晶体结构模型；

晶面模块，用于根据两相晶体结构模型选取两相晶面；

晶向模块，用于根据两相晶面选取两相晶向；

获取模块，用于根据两相晶向获取两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角；

计算模块，用于根据两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角，计算界面错配度。