[发明专利]晶片检测设备和晶片检测方法在审
申请号: | 202010729277.3 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN112309881A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 周崇斌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/677 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 薛恒;王琳 |
地址: | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 检测 设备 方法 | ||
提供一种晶片检测设备和晶片检测方法。晶片检测设备包括光学模组、用于承载多个晶片的至少一个晶片固持器以及多个光学传感器。光学模组被配置成发射多个光束以用于同时扫描由至少一个晶片固持器所承载的多个晶片。多个光学传感器被配置成接收被所述多个晶片反射的多个光束。
技术领域
本发明实施例涉及一种晶片检测设备和晶片检测方法。
背景技术
制造半导体器件通常包括使用大量半导体制造工艺来处理基板(例如半导体晶片),以形成半导体器件的各种特征和多个层级。半导体制造工艺可包括但不限于布植工艺、沉积工艺、光刻和刻蚀工艺、研磨和抛光工艺等等,所述沉积工艺例如是化学气相沉积(chemical vapor deposition;CVD)、等离子体增强CVD(plasma-enhanced CVD;PECVD)、物理气相沉积(physical vapor deposition;PVD)等。
在制造半导体器件期间的各种步骤处执行检测工艺,以检测基板(例如,晶片)上是否具有缺陷,从而促成制造工艺中的较高良率且由此达到较高利润。在整个制造工艺中,为了追求较高效率,晶片检测效率是一个备受关注的话题。
发明内容
本发明实施例提供一种晶片检测设备,其包括光源、第一分光元件、第一晶片固持器、第一光学传感器以及第二光学传感器。光源被配置成发射光。第一分光元件被配置成将来自所述光源的所述光分成第一光束和第二光束。第一晶片固持器包括用于承载第一晶片的第一晶片载物台和用于承载第二晶片的第二晶片载物台,其中所述第一晶片被配置成反射所述第一光束,且所述第二晶片被配置成反射所述第二光束。第一光学传感器被配置成接收所述第一晶片载物台所承载的所述第一晶片所反射的所述第一光束。第二光学传感器被配置成接收所述第二晶片载物台所承载的所述第二晶片所反射的所述第二光束。
本发明实施例提供一种晶片检测设备,其包括:光学模组、至少一个晶片固持器以及多个光学传感器。至少一个晶片固持器用于承载多个晶片,其中所述光学模组被配置成发射多个光束以用于同时扫描所述至少一个晶片固持器所承载的所述多个晶片。多个光学传感器被配置成分别接收被所述多个晶片反射的所述多个光束。
本发明实施例提供一种晶片检测方法,其包括:将多个晶片装载到至少一个晶片固持器以及同时检测所述多个晶片。同时检测所述多个晶片包括:从光学模组发射多个光束并将所述多个光束引导至所述多个晶片;以及通过多个光学传感器接收被所述多个晶片反射的所述多个光束。
附图说明
结合附图阅读以下详细描述会最好地理解本公开的各个方面。应注意,根据业界中的标准惯例,各个特征未按比例绘制。实际上,为了论述清楚起见,可任意增大或减小各个特征的尺寸。
图1是根据本公开的第一实施例的检测设备的示意图。
图2A是根据本公开的第二实施例的检测设备的示意图。图2B是根据本公开的第二实施例的检测设备的晶片载物台和光学组件的配置的示意图。图2C是根据本公开的第二实施例的检测设备的分光元件的透视图。
图3是根据本公开的第三实施例的检测设备的示意图。
图4是根据本公开的第四实施例的检测设备的示意图。
图5是根据本公开的第五实施例的检测设备的示意图。
图6是说明根据本公开的一些实施例的使用检测设备的检测方法的流程图。
图7是说明根据本公开的一些实施例的晶片载物台所承载的晶片的横截面示意图。
图8是说明根据本公开的一些实施例的阵列式波导光栅的示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造