[发明专利]包括去耦电容器的半导体封装在审
申请号: | 202010729832.2 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN113540057A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 李在薰;赵亨皓 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/64 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 电容器 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,该半导体封装包括:
基板;以及
半导体芯片,该半导体芯片设置在所述基板上方,
其中,所述基板包括:
基层,该基层包括面向所述半导体芯片的上表面;
上接地电极板,该上接地电极板设置在所述基层的所述上表面上方并且被配置为将接地电压传输到所述半导体芯片;以及
虚设电源图案,该虚设电源图案设置在所述上接地电极板中并且具有由所述上接地电极板围绕并与所述上接地电极板间隔开的侧表面,在所述虚设电源图案和所述上接地电极板之间具有绝缘材料,并且
其中,从所述上接地电极板到所述半导体芯片的接地电压传输路径与所述虚设电源图案间隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述虚设电源图案包括彼此间隔开的多个虚设电源图案,并且
所述接地电压传输路径与围绕所述多个虚设电源图案的区域间隔开。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,在平面图中,所述虚设电源图案具有在第一方向上的长度相对短并且在垂直于所述第一方向的第二方向上的长度相对长的条形状。
4.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,所述虚设电源图案包括彼此间隔开的多个虚设电源图案,并且
所述多个虚设电源图案在所述第一方向上布置成一排。
5.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,所述虚设电源图案的所述侧表面包括凹部和凸部。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述半导体芯片包括设置在所述半导体芯片的面向所述基板的下表面上的第一接地端子,
所述第一接地端子与所述上接地电极板的上表面的一部分交叠和连接,并且
所述虚设电源图案设置在不与所述半导体芯片交叠的区域中。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述基板还包括:
第一上信号图案和第一上电源图案,所述第一上信号图案和所述第一上电源图案各自设置在所述上接地电极板中并且具有由所述上接地电极板围绕并通过绝缘材料与所述上接地电极板间隔开的侧表面,并且
其中,所述第一上信号图案被配置为将信号传输到所述半导体芯片,
所述第一上电源图案被配置为将电源电压传输到所述半导体芯片,并且
从所述第一上信号图案到所述半导体芯片的信号传输路径以及从所述第一上电源图案到所述半导体芯片的电源电压传输路径与所述虚设电源图案间隔开。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中,所述半导体芯片包括设置在所述半导体芯片的面向所述基板的下表面上的第一信号端子和第一电源端子,
所述第一信号端子与所述第一上信号图案的上表面的一部分交叠和连接,
所述第一电源端子与所述第一上电源图案的上表面的一部分交叠和连接,并且
所述虚设电源图案设置在不与所述半导体芯片交叠的区域中。
9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述基板还包括:
下接地电极板,该下接地电极板设置在所述基层的被设置为与所述基层的所述上表面相反的下表面上并且与所述上接地电极板交叠;
第一接地通孔,该第一接地通孔穿透所述基层并且具有分别连接到所述上接地电极板和所述下接地电极板的两端,该第一接地通孔被配置为将所述接地电压从所述下接地电极板传输到所述上接地电极板;
下电源图案,该下电源图案设置在所述下接地电极板中并且具有由所述下接地电极板围绕并与所述下接地电极板间隔开的侧表面,并且在所述下电源图案和所述下接地电极板之间具有绝缘材料;以及
虚设电源通孔,该虚设电源通孔穿透所述基层并且具有分别连接到所述虚设电源图案和所述下电源图案的两端,所述虚设电源通孔被配置为将电源电压从所述下电源图案传输到所述虚设电源图案。
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