[发明专利]包括去耦电容器的半导体封装在审
申请号: | 202010729832.2 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN113540057A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 李在薰;赵亨皓 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/64 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 电容器 半导体 封装 | ||
包括去耦电容器的半导体封装。一种半导体封装包括基板和设置在基板上方的半导体芯片。该基板包括:基层,其包括面向半导体芯片的上表面;上接地电极板,其设置在基层的上表面上方并且被配置为将接地电压传输到半导体芯片;以及虚设电源图案,其设置在上接地电极板中并且具有由上接地电极板围绕并与上接地电极板间隔开的侧表面,并且在虚设电源图案和上接地电极板之间具有绝缘材料。从上接地电极板到半导体芯片的接地电压传输路径与虚设电源图案间隔开。
技术领域
本专利文献涉及半导体封装,更具体地,涉及一种包括去耦电容器的半导体封装。
背景技术
近来,对半导体装置的高速操作和大容量数据处理的需求增加。为此,需要增加同时传输到半导体装置的信号的数量或者信号传输速度。
然而,存在随着半导体装置以更高速操作以及同时传输的信号的数量增加,电源/接地噪声增加的问题。为了解决该问题,目前广泛使用通过添加去耦电容器来使电源/接地供应稳定的方法。
发明内容
在实施方式中,一种半导体封装可包括基板和设置在基板上方的半导体芯片。该基板包括:基层,其包括面向半导体芯片的上表面;上接地电极板,其设置在基层的上表面上方并且被配置为将接地电压传输到半导体芯片;以及虚设电源图案,其设置在上接地电极板中并且具有由上接地电极板围绕并与上接地电极板间隔开的侧表面,并且在虚设电源图案和上接地电极板之间具有绝缘材料。从上接地电极板到半导体芯片的接地电压传输路径与虚设电源图案间隔开。
在另一实施方式中,一种半导体封装可包括基板和设置在基板上方的半导体芯片。该基板包括:基层,其包括面向半导体芯片的上表面;上电源电极板,其设置在基层的上表面上方并且被配置为将电源电压传输到半导体芯片;以及虚设接地图案,其设置在上电源电极板中并且具有由上电源电极板围绕并与上电源电极板间隔开的侧表面,并且在虚设接地图案和上电源电极板之间具有绝缘材料。从上电源电极板到半导体芯片的电源电压传输路径与虚设接地图案间隔开。
附图说明
图1A和图1B是例示了根据本公开的实施方式的半导体封装的基板的上布线层和下布线层的平面图。
图1C是例示了根据本公开的实施方式的半导体封装的半导体芯片的平面图。
图2是参考图1A和图1B的线A-A’截取的横截面图。
图3是参考图1A和图1B的线B-B’截取的横截面图。
图4是参考图1A和图1B的线C-C’截取的横截面图。
图5是参考图1A和图1B的线D-D’截取的横截面图。
图6是参考图1A和图1B的线E-E’截取的横截面图。
图7是例示了根据本公开的另一实施方式的虚设电源图案和接地电极板的形状的平面图。
图8示出例示了采用包括根据实施方式的半导体封装的存储卡的电子系统的框图。
图9示出例示了包括根据实施方式的半导体封装的另一电子系统的框图。
具体实施方式
以下,将参照附图详细描述本公开的实施方式的各种示例。
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