[发明专利]一种红外探测器微型杜瓦

权利要求书

1.一种红外探测器微型杜瓦，其特征在于，包括陶瓷外壳、套设于陶瓷外壳顶部外侧的封接环、与封接环顶部固定连接的盖板、穿过盖板伸入所述陶瓷外壳内部的盖板引线、与所述盖板引线下端固定连接的盖板钼片、穿过所述陶瓷外壳底部伸入陶瓷外壳内部的底座引线，与所述底座引线固定连接的底座钼片、设于所述盖板钼片和底座钼片之间的芯片；所述盖板引线与盖板密封固定连接，所述底座引线与陶瓷外壳密封固定连接；所述盖板引线中部设计为弯曲状结构，所述弯曲状结构位于所述盖板和盖板钼片之间。

2.根据权利要求1所述的一种红外探测器微型杜瓦，其特征在于，所述弯曲状结构为波浪形弯曲，所述弯曲状结构处的盖板引线的厚度小于盖板引线其他位置的直径，且弯曲状结构处的盖板引线厚度从上到下先减小后增大。

3.根据权利要求2所述的一种红外探测器微型杜瓦，其特征在于，所述弯曲状结构由从上到下依次平滑过渡连接的第一弯曲段、第二弯曲段和第三弯曲段组成，所述第一弯曲段、第二弯曲段、第三弯曲段分别为直径为R的圆弧，R取值为0.4-0.6mm，第一弯曲段、第三弯曲段的圆弧所对应的圆心角均为θ₁，θ₁取值为55-65°，第二弯曲段的圆弧所对应的圆心角为θ₂，θ₂取值为110-130°。

4.根据权利要求2所述的一种红外探测器微型杜瓦，其特征在于，弯曲状结构处盖板引线的最小厚度位于第二弯曲段中部，且最小厚度为0.2mm。

5.根据权利要求1所述的一种红外探测器微型杜瓦，其特征在于，所述盖板钼片和底座钼片的倾斜度小于等于1.5°，平行度公差小于等于0.03mm。

6.根据权利要求1所述的一种红外探测器微型杜瓦，其特征在于，所述芯片通过焊接固定于所述盖板钼片和底座钼片之间，所述芯片与盖板钼片、底座钼片之间具有焊接层；所述盖板钼片和底座钼片处于无压力状态时两者之间的距离为L1，焊接层和芯片的厚度之和为L2，0.03mm≤L2-L1≤0.05mm。

7.根据权利要求1所述的一种红外探测器微型杜瓦，其特征在于，所述封接环通过焊接与陶瓷外壳固定连接，封接环与陶瓷外壳之间形成角焊缝，所述角焊缝的焊脚高度小于封接环在角焊缝处的厚度。

8.根据权利要求1所述的一种红外探测器微型杜瓦，其特征在于，所述盖板的材质为钛，所述盖板引线的材质为锆铜，所述盖板钼片和底座钼片的材质为钼，所述陶瓷外壳的材质为氧化锆陶瓷，所述封接环与陶瓷外壳采用银铜28焊料焊接。