[发明专利]一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其制备方法

说明书

本发明公开的属于半导体技术领域，具体为一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其制备方法，包括销杆和销帽，所述销帽连接在销杆的一端，所述销杆和销帽同轴连接，所述销杆和销帽为陶瓷材料一体成型结构，且销帽、销杆均呈圆柱状，所述销帽的外壁直径大于销杆的外壁直径，该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：S1：注入模具；S2：打磨成型。在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径，使它跟加热器盖板的直径相接近，防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量，预防销帽处温度低，晶圆提升销点位置厚度低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其制备方法。

背景技术

钽酸锂、铌酸锂晶圆具有压电性、介电性、热释电性以及电光效应、非线性光学效应和声光效应等重要特性，是指制作声表面波(SAW)滤波器、窄带滤波器、光子可调滤波器等新型元器件的重要材料。

晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。

由于起升销孔与加热器和盖板销孔间距太大，导致提升销无法快速的升温。不同的温度区域导致不同的厚度，晶圆片对温度很敏感，导致晶圆片靠四个提升销点位置表面沉积后都会变色异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的由于起升销孔与加热器和盖板销孔间距太大，导致提升销无法快速的升温。不同的温度区域导致不同的厚度，钽酸锂、铌酸锂晶圆片对温度很敏感，导致晶圆片靠四个提升销点位置表面沉积后都会变色异常的问题。

在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径，使它跟加热器盖板的直径相接近，防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量，预防销帽处温度较低，晶圆提升销点位置厚度低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，包括销杆和销帽，所述销帽连接在销杆的一端，所述销杆和销帽同轴连接，所述销杆和销帽为陶瓷材料一体成型结构，且销帽、销杆均呈圆柱状，所述销帽的外壁直径大于销杆的外壁直径。

优选的，所述销帽的外壁直径为3.5mm-3.8mm，所述销杆的外壁直径为3.1mm-3.2mm。

优选的，所述销帽的外壁直径为3.5mm，所述销杆的外壁直径为3.1mm。

优选的，所述销帽的外壁直径为3.677mm，所述销杆的外壁直径为3.182mm。

优选的，所述销帽的外壁直径为3.8mm，所述销杆的外壁直径为3.2mm。

优选的，所述销杆和销帽的总长度为79.954mm。

一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法，该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：

S1：注入模具：将半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的原料熔融混合均匀并注入半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的模具中，待模具中的原料冷却成型得到粗坯，将成型粗坯取出；

S2：打磨成型：将步骤S1中制得的粗坯取出，按照尺寸将粗坯表面打磨并使得粗坯的尺寸满足销帽、销杆的尺寸，即得到成品。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：