[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

第1存储胞，设置在所述衬底的上方；

第1位线，在第1方向上延伸设置，与所述第1存储胞连接；

第1字线，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸设置，与所述第1存储胞连接；

第1晶体管，设置在所述衬底之上，与所述第1位线连接；及

第2晶体管，设置在所述第1存储胞的下方且所述衬底之上，与所述第1字线连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备：

第2存储胞，与所述第1字线连接；

第2位线，在所述第1方向上延伸设置，与所述第2存储胞连接；

第3晶体管，设置在所述衬底之上，与所述第1晶体管相比在所述第2方向上更远离所述第2晶体管地配置，与所述第2位线连接；

第1配线，连接在所述第1晶体管与所述第1位线之间，具有在所述第2方向上延伸的部分；及

第2配线，连接在所述第3晶体管与所述第2位线之间，具有在所述第2方向上延伸的部分；且

所述第1配线在所述第2方向上延伸的部分的长度比所述第2配线在所述第2方向上延伸的部分的长度长。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备：

第3存储胞，与所述第1位线连接；

第2字线，在所述第2方向上延伸设置，与所述第3存储胞连接；

第4晶体管，设置在所述衬底之上，与所述第2晶体管相比在所述第2方向上更远离所述第1晶体管地配置，与所述第2字线连接；

第3配线，连接在所述第2晶体管与所述第1字线之间，具有在所述第2方向上延伸的部分；及

第4配线，连接在所述第4晶体管与所述第2字线之间，具有在所述第2方向上延伸的部分；且

所述第3配线在所述第2方向上延伸的部分的长度比所述第4配线在所述第2方向上延伸的部分的长度长。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备感测放大器，

所述感测放大器包含所述第1晶体管，

所述第1晶体管为N型的高耐压晶体管。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备行解码器，

所述行解码器包含所述第2晶体管，

所述第2晶体管为N型的高耐压晶体管。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备：

多个导电体层，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上相互分离地设置，分别被用作字线；以及

柱，贯通所述多个导电体层而设置，包含作为所述第1存储胞发挥功能的部分。

7.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

在包含所述第1存储胞及所述第2存储胞的区域外侧的区域中，还具备与所述第1字线接触的第1接触件，所述第1字线与所述第2晶体管之间经由所述第1接触件连接。

8.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

在所述第1存储胞与所述第2存储胞之间的区域中，还具备与所述第1字线接触的第1接触件，所述第1字线与所述第2晶体管之间经由所述第1接触件连接。

9.根据权利要求7或8所述的半导体存储装置，其中

所述衬底与所述第1位线之间的与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上的间隔比所述衬底与所述第1字线之间的所述第3方向上的间隔窄，

所述第1接触件从所述衬底侧与所述第1字线接触。

10.根据权利要求7或8所述的半导体存储装置，其中

所述衬底与所述第1位线之间的与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上的间隔比所述衬底与所述第1字线之间的所述第3方向上的间隔宽，

所述第1接触件经由比所述第1字线更远离所述衬底的区域与所述第1字线接触。