[发明专利]封装结构中的可变互连接头在审
申请号: | 202010734386.4 | 申请日: | 2015-11-09 |
公开(公告)号: | CN111883443A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 郭炫廷;刘重希;林修任;陈宪伟;郑明达;陈威宇;曹智强 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/66;H01L21/98;H01L23/488;H01L25/065;H01L25/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 中的 可变 互连 接头 | ||
1.一种形成封装结构的方法,包括:
分析第一封装组件和第二封装组件在接合工艺的温度下的翘曲特性,其中,所述翘曲特性包括:在所述接合工艺的温度下所述第一封装组件和所述第二封装组件之间的距离;
在所述第一封装组件上形成多个焊料膏元件,其中,所述多个焊料膏元件中的每一个的体积基于在所述接合工艺的温度下的所述第一封装组件和所述第二封装组件之间的距离;
将设置在所述第二封装组件上的多个连接件对准所述第一封装件上的所述多个焊料膏元件;以及
通过在所述接合工艺的温度下回流所述多个连接件和所述多个焊料膏元件将所述第二封装组件接合至所述第一封装组件。
2.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法,其中,形成所述多个焊料膏元件包括模板印刷工艺,所述模板印刷工艺使用包括多个通孔的模板。
3.根据权利要求2所述的形成封装结构的方法,还包括基于所述第一封装组件和所述第二封装组件的所述翘曲特性选择所述多个通孔中的每一个的尺寸。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,分析所述第一封装组件和所述第二封装组件的所述翘曲特性包括:在将所述第二封装组件接合至所述第一封装组件之后,估测多个区域处的所述第一封装组件和所述第二封装组件之间的距离。
5.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法,其中,形成所述多个焊料膏元件包括:
在所述第一封装组件的第一区域形成具有第一体积的第一焊料膏元件;以及
在所述第一封装组件的第二区域形成具有第二体积的第二焊料膏元件,其中,所述第一体积大于所述第二体积,并且其中,在所述第一区域中的所述第一封装组件和所述第二封装组件之间的估测距离大于在所述第二区域中的估测距离。
6.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法,其中,分析所述翘曲特性还包括摩尔测量具有与所述第一封装组件和所述第二封装组件相同配置的样本封装组件。
7.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法,其中,所述第二封装组件是第二器件管芯。
8.根据权利要求1所述的形成封装结构的方法,还包括:在回流所述多个连接件和所述多个焊料膏元件之后,在所述第一封装组件和所述第二封装组件之间形成填充物。
9.一种形成封装结构的方法,包括:
分析第一封装组件和第二封装组件在接合工艺的温度下的翘曲特性,其中,所述翘曲特性包括:在所述接合工艺的温度下所述第一封装组件和所述第二封装组件之间的距离;
基于所述第一封装组件和所述第二封装组件在所述接合工艺的温度下的所述第一封装组件和所述第二封装组件之间的距离配置焊料膏模板;以及
通过使用所述焊料膏模板的模板在所述第一封装组件的表面上形成多个焊料膏元件,其中,所述多个焊料膏元件的尺寸不一,并且所述多个焊料膏元件中的每一个的尺寸基于所述第一封装组件和所述第二封装组件在所述接合工艺的温度下的所述第一封装组件和所述第二封装组件之间的距离。
10.一种封装结构,包括:
第一封装组件;
第二封装组件;以及
多个连接件,所述多个连接件在接合工艺的温度下将所述第一封装组件的第一表面接合至所述第二封装组件的第二表面,其中,所述多个连接件的尺寸不一,并且其中,所述第一封装组件的所述第一表面和所述第二封装组件的所述第二表面具有在所述接合工艺的温度下形成的翘曲,根据所述第一封装组件和所述第二封装组件在接合工艺的温度下的所述第一封装组件和所述第二封装组件之间的距离选择所述多个连接件中的每一个的尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造