[发明专利]封装结构中的可变互连接头在审
申请号: | 202010734386.4 | 申请日: | 2015-11-09 |
公开(公告)号: | CN111883443A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 郭炫廷;刘重希;林修任;陈宪伟;郑明达;陈威宇;曹智强 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/66;H01L21/98;H01L23/488;H01L25/065;H01L25/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 中的 可变 互连 接头 | ||
本发明提供了封装结构中的可变互连接头。一种实施例方法,包括分析第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性并且在第一封装组件上形成多个焊料膏元件。多个焊料膏元件中的每一个的体积基于第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性。方法还包括将设置在第二封装组件上的多个连接件对准第一封装件上的多个焊料膏元件,并且通过回流多个连接件和多个焊料膏元件将第二封装组件接合至第一封装组件。
本申请是于2015年11月9日提交的申请号为201510756123.2,名称为“封装结构中的可变互连接头”的分案申请。
技术领域
本发明涉及封装结构中的可变互连接头。
背景技术
由于各种电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高,半导体行业已经历了快速发展。在极大程度上,集成密度的提高源自于最小部件尺寸的不断减小(例如,将半导体工艺节点向亚20nm节点减小),这样允许在给定区域内集成更多的组件。由于对小型化的需要,近来已经发展了更高速度和更大的带宽以及更低的功耗和延迟,所以已经提出一种更小且更富创造性的半导体管芯封装技术的需要。
随着半导体技术的进一步发展,例如3D集成电路(3DIC)的堆叠半导体器件已作为一种进一步降低半导体器件的物理尺寸的有效选择而出现。在堆叠半导体器件中,将诸如逻辑、存储、处理器电路等的有源电路制造在不同的半导体晶圆上。两个或更多的半导体组件可以彼此堆叠安装以进一步降低半导体器件的形状因数。
两个半导体组件可以通过合适的接合技术接合在一起。通常使用的接合技术包括直接接合、化学活化接合、等离子体活化接合、阳极接合、共晶接合、玻璃介质接合、粘连接合、热压缩接合、反应接合等。可以在堆叠的半导体晶圆之间提供电连接。堆叠的半导体器件可提供具有较小形状因数的较高密度且考虑到增强的性能和较低的功耗。
发明内容
为解决现有技术中存在的问题,根据本发明的一个方面,提供了一种方法,包括:
分析第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性;
在所述第一封装组件上形成多个焊料膏元件,其中,所述多个焊料膏元件中的每一个的体积基于所述第一封装组件和所述第二封装组件的所述翘曲特性;
将设置在所述第二封装组件上的多个连接件对准所述第一封装件上的所述多个焊料膏元件;以及
通过回流所述多个连接件和所述多个焊料膏元件将所述第二封装组件接合至所述第一封装组件。
根据本发明的一个实施例,形成所述多个焊料膏元件包括模板印刷工艺,所述模板印刷工艺使用包括多个通孔的模板。
根据本发明的一个实施例,还包括基于所述第一封装组件和所述第二封装组件的所述翘曲特性选择所述多个通孔中的每一个的尺寸。
根据本发明的一个实施例,分析所述第一封装组件和所述第二封装组件的所述翘曲特性包括:在将所述第二封装组件接合至所述第一封装组件之后,估测多个区域处的所述第一封装组件和所述第二封装组件之间的距离。
根据本发明的一个实施例,形成所述多个焊料膏元件包括:
在所述第一封装组件的第一区域形成具有第一体积的第一焊料膏元件;以及
在所述第一封装组件的第二区域形成具有第二体积的第二焊料膏元件,其中,所述第一体积大于所述第二体积,并且其中,在所述第一区域中的所述第一封装组件和所述第二封装组件之间的估测距离大于在所述第二区域中的估测距离。
根据本发明的一个实施例,分析所述翘曲特性包括摩尔测量具有与所述第一封装组件和所述第二封装组件相同配置的样本封装组件。
根据本发明的一个实施例,所述第一封装组件是扇出晶圆,并且其中所述第二封装组件是器件管芯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造