[发明专利]基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构

权利要求书

1.基于HTCC的高频垂直互联结构，其特征在于，包括：

陶瓷基板，为阶梯状，包括自上至下顺次相连的第一层陶瓷阶梯、第二层陶瓷阶梯和第三层陶瓷阶梯；

射频信号正面引脚焊盘，设置于所述第二层陶瓷阶梯的正面；

射频信号背面引脚焊盘，设置于所述第三层陶瓷阶梯的背面，所述射频信号正面引脚焊盘通过设置于所述陶瓷基板侧面的射频信号侧面垂直过渡半孔与所述射频信号背面引脚焊盘实现垂直互联，用于信号传递；

接地正面引脚焊盘，设置于所述第二层陶瓷阶梯的正面；

接地背面引脚焊盘，设置于所述第三层陶瓷阶梯的背面，所述接地正面引脚焊盘通过设置于所述陶瓷基板侧面的接地侧面垂直过渡半孔与所述接地背面引脚焊盘实现垂直互联；

背面接地区，设置于所述第三层陶瓷阶梯的背面，与所述接地背面引脚焊盘互联；

芯片安装区，设置于所述第三层陶瓷阶梯的正面，用于安装芯片，所述芯片安装区与所述接地侧面垂直过渡半孔垂直互联；

顶层封口环，设置于所述第一层陶瓷阶梯的正面；

垂直接地孔组，垂直连接所述顶层封口环、所述接地正面引脚焊盘、所述芯片安装区、所述接地背面引脚焊盘和所述背面接地区；

所述垂直接地孔组包括贯穿第一层陶瓷阶梯、第二层陶瓷阶梯和第三层陶瓷阶梯的第一接地孔，贯穿第二层陶瓷阶梯和第三层陶瓷阶梯的第二接地孔，以及贯穿所述第三层陶瓷阶梯的第三接地孔。

2.如权利要求1所述的基于HTCC的高频垂直互联结构，其特征在于，所述射频信号正面引脚焊盘通过设置于所述陶瓷基板内的信号传输带状线与所述射频信号侧面垂直过渡半孔互联。

3.如权利要求2所述的基于HTCC的高频垂直互联结构，其特征在于，所述射频信号正面引脚焊盘的结构为宽度渐变的对称结构。

4.如权利要求3所述的基于HTCC的高频垂直互联结构，其特征在于，所述宽度渐变的对称结构自所述射频信号侧面垂直过渡半孔向所述芯片安装区方向，宽度逐渐增加。

5.如权利要求1所述的基于HTCC的高频垂直互联结构，其特征在于，所述接地正面引脚焊盘通过设置于所述陶瓷基板内的接地带状线与所述接地侧面垂直过渡半孔互联。

6.如权利要求1所述的基于HTCC的高频垂直互联结构，其特征在于，所述接地正面引脚焊盘和所述接地背面引脚焊盘均为矩形。

7.如权利要求1所述的基于HTCC的高频垂直互联结构，其特征在于，所述背面接地区为矩形。

8.如权利要求1所述的基于HTCC的高频垂直互联结构，其特征在于，所述芯片安装区为矩形结构，其一侧延伸铺设在所述第二层陶瓷阶梯和所述第三层陶瓷阶梯之间，所述芯片安装区与所述接地侧面垂直过渡半孔之间设有连接板。

9.封装结构，其特征在于，包括：

如权利要求1-8任一项所述的高频垂直互联结构；

芯片，安装于所述芯片安装区，所述芯片与所述射频信号正面引脚焊盘通过金丝键合；

封帽，连接于所述顶层封口环上，用于密封所述芯片。