[发明专利]基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构

说明书

本发明提供了一种基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构，属于微波器件技术领域，包括陶瓷基板、射频信号背面引脚焊盘、射频信号正面引脚焊盘、接地正面引脚焊盘、接地背面引脚焊盘、背面接地区、芯片安装区、顶层封口环和垂直接地孔组，射频信号正面引脚焊盘通过射频信号侧面垂直过渡半孔与射频信号背面引脚焊盘垂直互联；接地正面引脚焊盘通过接地侧面垂直过渡半孔与接地背面引脚焊盘垂直互联；背面接地区设置于第三层陶瓷阶梯的背面；芯片安装区设置于第三层陶瓷阶梯的正面；垂直接地孔组垂直贯穿陶瓷基板。本发明提供的基于HTCC的高频垂直互联结构，寄生电感小，能够提高在高频时的传输性能，满足高频封装的需求。

技术领域

本发明属于微波器件技术领域，更具体地说，是涉及一种基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构。

背景技术

随着电子设备小型化及集成度的需求越来越高，需要采用高性能高可靠的射频垂直互联结构。对于芯片级封装垂直互联结构的实现，现在经常采用的互联形式有微波电缆、线缆、金属连接器以及毛纽扣等，但这些互联结构体积大、互联密度低且在高频时微波性能差。随着高温共烧陶瓷(High Temperature Cofired Ceramics，以下简称HTCC)技术的不断成熟，基于HTCC工艺的封装产品在电子设备上实现高频、高密度互连的需求越来越高。目前应用的HTCC垂直互联结构采用打孔方式互联，寄生电感大，在高频时传输性能不理想，不能满足高频封装的需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于HTCC的高频垂直互联结构，旨在解决现有基于HTCC封装的产品高频传输时性能差的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种基于HTCC的高频垂直互联结构，包括：陶瓷基板、射频信号正面引脚焊盘、射频信号背面引脚焊盘、接地正面引脚焊盘、接地背面引脚焊盘、背面接地区、芯片安装区、顶层封口环和垂直接地孔组，陶瓷基板为阶梯状包括自上至下顺次相连的第一层陶瓷阶梯、第二层陶瓷阶梯和第三层陶瓷阶梯；射频信号正面引脚焊盘设置于所述第二层陶瓷阶梯的正面；射频信号背面引脚焊盘设置于所述第三层陶瓷阶梯的背面，所述射频信号正面引脚焊盘通过设置于所述陶瓷基板侧面的射频信号侧面垂直过渡半孔与所述射频信号背面引脚焊盘实现垂直互联，用于信号传递；接地正面引脚焊盘设置于所述第二层陶瓷阶梯的正面；接地背面引脚焊盘设置于所述第三层陶瓷阶梯的背面，所述接地正面引脚焊盘通过设置于所述陶瓷基板侧面的接地侧面垂直过渡半孔与所述接地背面引脚焊盘实现垂直互联；背面接地区设置于所述第三层陶瓷阶梯的背面，用于大面积接地，与所述接地背面引脚焊盘互联；芯片安装区设置于所述第三层陶瓷阶梯的正面，用于安装芯片，所述芯片安装区与所述接地侧面垂直过渡半孔垂直互联；顶层封口环设置于所述第一层陶瓷阶梯的正面；垂直接地孔组垂直连接所述顶层封口环、所述接地正面引脚焊盘、所述芯片安装区、所述接地背面引脚焊盘和所述背面接地区。

作为本申请另一实施例，所述射频信号正面引脚焊盘通过设置于所述陶瓷基板内的信号传输带状线与所述射频信号侧面垂直过渡半孔互联。

作为本申请另一实施例，所述射频信号正面引脚焊盘的结构为宽度渐变的对称结构。

作为本申请另一实施例，所述宽度渐变的对称结构自所述信号传输带状线向芯片安装区方向，宽度逐渐增加。

作为本申请另一实施例，所述接地正面引脚焊盘通过设置于所述陶瓷基板内的接地带状线与所述接地侧面垂直过渡半孔互联。

作为本申请另一实施例，所述接地背面引脚焊盘均为矩形。

作为本申请另一实施例，所述芯片安装区为矩形结构，其一侧延伸铺设在所述第二层陶瓷阶梯和所述第三层陶瓷阶梯之间，所述芯片安装区与所述接地侧面垂直过渡半孔之间设有连接板。

作为本申请另一实施例，所述垂直接地孔组包括贯穿第一层陶瓷阶梯、第二层陶瓷阶梯和第三层陶瓷阶梯的第一接地孔，贯穿第二层陶瓷阶梯和第三层陶瓷阶梯的第二接地孔，以及贯穿所述第三层陶瓷阶梯的第三接地孔。