[发明专利]一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202010735170.X | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111863372B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 邓毕力;潘振海;王玉川;徐敏义;罗顶飞;晋立从;张朋;王波 | 申请（专利权）人： | 安徽智磁新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/33 | 分类号： | H01F1/33;H01F41/00;H05K9/00;C23C14/06;C23C14/34;C23C24/04;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 沃赵新 |
| 地址： | 236000 安徽省阜阳*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电磁 干扰 颗粒 及其 制备 方法 | ||
1.一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜，其特征在于，所述软磁颗粒膜为多层结构，为中间的双相纳米晶软磁薄膜（1）和位于所述双相纳米晶软磁薄膜（1）上侧的多个交叠重复结构（2）和下侧的多个交叠重复结构（2），所述一个交叠重复结构（2）包括一层纳米ZnO层（2-1）和一层纳米六方氮化硼层（2-2）；
所述双相纳米晶软磁薄膜的结构式为((FezA1-z)aCobQcBad)1-x-(RO2)x，其中，30≤a≤60，50≤b≤70，10≤c≤30，0.1≤d≤0.5，0.7≤x≤0.9，0.1≤z≤0.5；所述A元素为Ni、Ti中的一种或几种，所述Q元素为Cu、Ag、Au或Pt中的一种或几种，所述R元素为Ce、Mn、Si或Zr中的一种或几种；所述双相纳米晶软磁薄膜的厚度为30μm～40μm，所述纳米六方氮化硼层厚度为8μm～10μm，所述纳米ZnO层为20μm～30μm，所述双相纳米晶软磁薄膜为bbc结构的α-(FezA1-z)aCobQcBad纳米金属颗粒与RO2绝缘介质纳米颗粒组成，所述bbc结构的α-(FezA1-z)aCobQcBad纳米金属颗粒被所述RO2绝缘介质纳米颗粒包裹，所述α-(FezA1-z)aCobQcBad纳米金属颗粒的直径为2nm～5nm，所述RO2绝缘介质纳米颗粒直径为0.25nm～0.5nm。
2.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜，其特征在于，所述软磁颗粒膜的居里温度Tc为260℃～280℃。
3.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜，其特征在于，所述软磁颗粒膜的单轴各向异性场为6.50kA/m～8.50 kA/m。
4.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜，其特征在于，多个所述交叠重复结构（2）位于所述中间的双相纳米晶软磁薄膜（1）的上下两侧，所述一个交叠重复结构（2）为一层所述纳米ZnO层（2-1）位于一层所述纳米六方氮化硼层（2-2）的上侧，所述中间的双相纳米晶软磁薄膜（1）上侧为所述纳米六方氮化硼层（2-2），所述中间的双相纳米晶软磁薄膜（1）下侧为所述纳米ZnO层（2-1）。
5.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的软磁颗粒膜，其特征在于，所述双相纳米晶软磁薄膜（1）外侧一侧具有2个～4个所述交叠重复结构（2）。
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