[发明专利]高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法

权利要求书

1.一种高Bs纳米晶带材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)取纳米晶带材，所述纳米晶带材的典型成分包括Fe_xSi_yNb_zB_wCu_v和其他微量元素，x＝81-88％、y＝6.0-8.0％、z＝3.0-5％、w＝1.0-2％、v＝1.0-2.0％，所述其它微量元素的含量为1.5-2％；

(2)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对所述纳米晶带材进行第一次热处理，所述第一次热处理具体为：按照升温速率为5-15℃/min，将所述纳米晶带材从200℃升温至第一目标温度T1，并保温15-30min，所述第一目标温度T1为385-415℃；

(3)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对第一次热处理后的纳米晶带材进行第二次热处理，所述第二次热处理具体为：按照升温速率为2-8℃/min，将第一次热处理后的纳米晶带材升温至第二目标温度T2，并保温15-30min，所述第二目标温度T2为445-485℃；

(4)在惰性气体保护条件下或真空条件下，对第二次热处理后的纳米晶带材进行保温处理，所述保温处理具体为：按照升温速率为2-8℃/min，将第二次热处理后的纳米晶带材升温至第三目标温度T3，并保温120-180min，所述第三目标温度T3为510-540℃；

(5)在惰性气体保护条件下或真空条件下，对保温处理后的纳米晶带材进行降温处理，所述降温处理具体为：按照降温速率为20-30℃/min，将保温处理后的纳米晶带材降温至第四目标温度T4以下；

(6)将降温处理后的纳米晶带材冷却至室温，获得高Bs纳米晶带材。

2.根据权利要求1所述的高Bs纳米晶带材的制备方法，其特征在于，所述第一次热处理中保温的具体条件为：在第一目标温度T1条件下保温15-30min。

3.根据权利要求1所述的高Bs纳米晶带材的制备方法，其特征在于，所述第二次热处理中保温的具体条件为：在第二目标温度T2条件下保温15-30min。

4.根据权利要求1所述的高Bs纳米晶带材的制备方法，其特征在于，所述保温处理中保温的具体条件为：在第三目标温度T3下保温120-180min。

5.根据权利要求1所述的高Bs纳米晶带材的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，将保温处理后的纳米晶带材随炉降温至150℃以下。

6.根据权利要求1所述的高Bs纳米晶带材的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，将降温处理后的纳米晶带材从热处理炉内取出，冷却至20-30℃。

7.一种高Bs纳米晶带材，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的高Bs纳米晶带材的制备方法制备获得。

8.一种高Bs纳米晶屏蔽片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)采用如权利要求1-6任一项所述的高Bs纳米晶带材的制备方法，制备得到N个高Bs纳米晶带材，所述N为大于或等于1的整数；

(2)分别对所述N个高Bs纳米晶带材进行覆胶；

(3)分别将覆胶后的N个高Bs纳米晶带材进行碎磁处理；

(4)将碎磁处理后的N个高Bs纳米晶带材进行叠层，得到待模切半成品；

(5)将所述待模切半成品进行模切，得到屏蔽片半成品；

(6)在所述屏蔽片半成品的顶面贴覆保护胶层，得到高Bs纳米晶屏蔽片。

9.根据权利要求8所述的高Bs纳米晶带材的制备方法，其特征在于，所述N为3或4。

10.一种高Bs纳米晶屏蔽片，其特征在于，采用权利要求8-9任一项所述的高Bs纳米晶屏蔽片的制备方法制备获得。