[发明专利]高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法，高Bs纳米晶带材的制备方法包括：取纳米晶带材，所述纳米晶带材的典型成分包括Fe_xSi_yNb_zB_wCu_v和其他微量元素，x＝81‑88％、y＝6.0‑8.0％、z＝3.0‑5％、w＝1.0‑2％、v＝1.0‑2.0％，所述其它微量元素的含量为1.5‑2％，在惰性气体保护的条件下或真空条件下，依次对所述纳米晶带材进行第一次热处理、第二次热处理、保温处理和降温处理，再冷却至室温，获得高Bs纳米晶带材。本发明的制备方法可获得晶粒细小且均匀的高饱和磁感应强度的纳米晶带材，且利于大批量工业生产。

技术领域

本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法。

背景技术

随着无线充电技术的普及，无线充电功率小的缺点也在慢慢显露出来，现阶段无线充电模组中主要由屏蔽片、充电线圈两大部分组成。限制无线充电功率提升的原因，很大一部分在于屏蔽片的抗直流偏置能力，而屏蔽片的抗直流偏置能力与材料的饱和磁感应强度Bs息息相关，提高材料的Bs就相当于提升材料的抗直流偏置能力，进而提升无线充电的功率。

高Bs带材由于元素占比与普通带材不同，需要复杂的热处理工艺才能将带材的Bs值提升至较高水平，若采用常规的热处理工艺，不仅得不到较高的Bs值，而且带材损耗很高，因此需要一种热处理方法来提升带材的Bs值，为电子产品的大功率充电提供基础。

常规热处理工艺，如申请号为CN201510990249.6和CN201710605582.X的中国专利文件中公开的热处理工艺，在加热阶段通常采用低升温速率对材料进行加热，这种热处理需要加恒磁场，才能使材料的应力减小及损耗降低，需要较大的能耗，不利于大批量工业生产。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提出一种高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法，可获得高饱和磁感应强度的纳米晶带材，且利于大批量工业生产。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种高Bs纳米晶带材的制备方法，包括如下步骤：

(1)取纳米晶带材，所述纳米晶带材的典型成分包括Fe_xSi_yNb_zB_wCu_v和其他微量元素，x＝81-88％、y＝6.0-8.0％、z＝3.0-5％、w＝1.0-2％、v＝1.0-2.0％，所述其它微量元素的含量为1.5-2％；

(2)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对所述纳米晶带材进行第一次热处理，所述第一次热处理具体为：按照升温速率为5-15℃/min，将所述纳米晶带材从200℃升温至第一目标温度T1，并保温15-30min，所述第一目标温度T1为385-415℃；

(3)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对第一次热处理后的纳米晶带材进行第二次热处理，所述第二次热处理具体为：按照升温速率为2-8℃/min，将第一次热处理后的纳米晶带材升温至第二目标温度T2，并保温15-30min，所述第二目标温度T2为445-485℃；

(4)在惰性气体保护条件下或真空条件下，对第二次热处理后的纳米晶带材进行保温处理，所述保温处理具体为：按照升温速率为2-8℃/min，将第二次热处理后的纳米晶带材升温至第三目标温度T3，并保温120-180min，所述第三目标温度T3为510-540℃；

(5)在惰性气体保护条件下或真空条件下，对保温处理后的纳米晶带材进行降温处理，所述降温处理具体为：按照降温速率为20-30℃/min，将保温处理后的纳米晶带材降温至第四目标温度T4以下；

(6)将降温处理后的纳米晶带材冷却至室温，获得高Bs纳米晶带材。