[发明专利]基片处理系统

权利要求书

1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：

第1腔室，其提供用于处理基片的空间，其中，所述基片是从被维持为真空气氛的第1输送室输送来的；

第2腔室，其构成为内部能够与所述第1输送室和被维持为大气气氛的第2输送室连通，具有与所述第1腔室大致相同的占地面积，并且与所述第1腔室在上下方向上并排地配置在所述第1腔室之下；和

冷却通路，其配置在所述第1腔室与所述第2腔室之间，并且在其内部流动冷却介质。

2.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：

所述冷却通路的内壁的一部分由所述第1腔室的底面和所述第2腔室的上表面的至少一部分形成。

3.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：

还包括向所述冷却通路供给冷却介质的供给装置，

所述冷却通路和所述供给装置配置在所述第1输送室、所述第2输送室、所述第1腔室和所述第2腔室的外侧。

4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：

所述第1腔室收纳能够实施灰化、蚀刻和成膜中的任意者的基片处理装置。

5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：

所述第2腔室包括对基片进行冷却的冷却机构。

6.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理系统，其特征在于：

所述第1腔室包括：对基片进行加热的加热机构；和对因基片处理而被加热的部件进行冷却的、与所述冷却通路分体且独立的冷却机构。