[发明专利]基片处理系统在审

申请号：	202010735536.3	申请日：	2020-07-28
公开（公告）号：	CN112349620A	公开（公告）日：	2021-02-09
发明（设计）人：	茂木卓;熊谷隆;小田岛章	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;徐飞跃
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理系统
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【说明书】：

本发明提供一种基片处理系统，其包括第1腔室、第2腔室和冷却通路。第1腔室提供用于处理基片的空间，其中该基片是从被维持为真空气氛的第1输送室输送来的。第2腔室构成为内部能够与第1输送室和被维持为大气气氛的第2输送室连通。第2腔室具有与第1腔室大致相同的占地面积。第2腔室与第1腔室在上下方向上并排地配置在第1腔室之下。冷却通路配置在第1腔室与第2腔室之间。冷却通路在其内部流动冷却介质。根据本发明，能够抑制基片处理系统的占地面积。

技术领域

本发明涉及基片处理系统。

背景技术

已提案了1个以上的分离的且具有与周围隔离的环境的加载互锁腔室(专利文献1)。专利文献1的加载互锁腔室具有包含垂直地层叠且与周围隔离的多个腔室的腔室主体，腔室通过耐真空性的水平的内壁而被分离开。此外，已提案了能够处理基片的双加载互锁腔室(专利文献2)。专利文献2的双加载互锁腔室包括形成有彼此分离的第1腔室空间和第2腔室空间的腔室主体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2012-501549号公报。

专利文献2：日本特表2014-511575号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够抑制基片处理系统的占地面积(footprint)的技术。

用于解决问题的技术手段

本发明的一方式的基片处理系统包括第1腔室、第2腔室和冷却通路。第1腔室提供用于处理基片的空间，其中该基片是从被维持为真空气氛的第1输送室输送来的。第2腔室构成为内部能够与第1输送室和被维持为大气气氛的第2输送室连通。第2腔室具有与第1腔室大致相同的占地面积(footprint)。第2腔室与第1腔室在上下方向上并排地配置在第1腔室之下。冷却通路配置在第1腔室与第2腔室之间。冷却通路在其内部流动冷却介质。

发明效果

依照本发明，能够抑制基片处理系统的占地面积。

附图说明

图1是表示一实施方式的基片处理系统的结构的一例的图。

图2是表示一实施方式的基片处理系统所具有的加载互锁组件的结构的概略截面图。

图3是表示一实施方式的基片处理系统所进行的基片处理的流程的一例的流程图。

附图标记说明

1 基片处理系统

10 加载端口

20 大气输送室

21 第1输送机构

30 加载互锁组件