[发明专利]应用于5G元件的谐振腔及测试方法

权利要求书

1.一种应用于5G元件的谐振腔，其特征在于，包括：夹具柱塞(1)、中心导体(3)、衰减器(4)、精密电阻(5)、连接矢网一端口(6)、连接矢网二端口(7)、谐振腔主体(8)，所述夹具柱塞(1)可活动地安装在所述谐振腔主体(8)一端，所述中心导体(3)内置于所述谐振腔主体(8)，所述夹具柱塞(1)与中心导体(3)相对设置；所述衰减器(4)安装在所述谐振腔主体(8)的另一端，所述连接矢网一端口(6)和连接矢网二端口(7)与所述谐振腔主体(8)连接，所述精密电阻(5)与所述连接矢网一端口(6)连接。

2.如权利要求1所述的应用于5G元件的谐振腔，其特征在于，还包括密封圈，所述衰减器(4)与所述谐振腔主体(8)的连接处设置所述密封圈。

3.如权利要求1所述的应用于5G元件的谐振腔，其特征在于，所述中心导体(3)包括内导体和外导体，所收内导体和外导体均为圆柱结构，所述内导体直径小于所述外导体直径。

4.如权利要求3所述的应用于5G元件的谐振腔，其特征在于，所述内导体与外导体为一体成型。

5.一种应用于5G元件的谐振腔测试方法，其特征在于，步骤如下：

S1、使用矢量网络分析仪和Labview编写的控制程序控制测试；

S2、依次寻找第一至第八谐振点的频率，降低扫描时间，减小扫描范围，重新扫描，分别读取各谐振点的频率和Q值；

S3、计算分别计算每个谐振点的ESR值、Corrected ESR值、C值和Q值。

6.如权利要求5所述的应用于5G元件的谐振腔测试方法，其特征在于，ESR值的计算方法如下：

其中：ESR表示等效串联电阻，M表示测试电抗，Q_M表示测试频率下的Q值，Q₁'表示在频率f₁下的Q值，R_f表示在频率f下谐振腔的损耗，Z₀表示特征阻抗，Z0＝75.75Ω，f_M表示测试频率，f₀'表示短路的频率值，表示接触电阻，f₀表示谐振腔自身理想条件下的谐振频率，x'表示中间变量。

7.如权利要求5所述的应用于5G元件的谐振腔测试方法，其特征在于，Corrected ESR值的计算方法如下：

其中：ESR_CORR表示修正的等效串联电阻，R_T表示未修正的等效串联电阻，C_F表示调节电容容值，C表示测试电容容值，ε₀表示介电常数，r表示中心导体半径，d表示测试夹具长度，b表示被测电容半径，A_UUT表示被测电容横截面积。

8.如权利要求5所述的应用于5G元件的谐振腔测试方法，其特征在于，C值的计算方法如下：

C＝-1/[2πf₁Z₀cot(β₁l)]

β₁l＝(f₁/f₀)90°

其中：β₁表示被测电容相位，l表示电容长度，f₁表示实际测试谐振频率。

9.如权利要求5所述的应用于5G元件的谐振腔测试方法，其特征在于，Q值的计算方法如下：

Q＝1/2πf₁C×ESR_CORR

其中：f₁表示实际测试谐振频率。