[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010737827.6 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN112018076A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 安重镒;金成基;白国斌;崔恒玮;王桂磊;高建峰;田光辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L27/108;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体基底；
位于所述半导体基底上的有源区；
与所述有源区连接的至少一个接触孔，所述接触孔包括在所述有源区处的凹槽；
所述凹槽内填充有选择性外延生长硅层；在所述接触孔内填充有与所述选择性外延生长硅层连接的多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述接触孔为位线接触孔。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽呈碗形。
4.一种包含权利要求1-3任一项所述的半导体结构的半导体器件。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，其为DRAM、2D NAND、3D NAND或LCD。
6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供具有有源区的半导体基底；
形成与所述有源区连接的至少一个接触孔，所述接触孔在所述有源区处形成为凹槽结构；
在所述凹槽内选择性外延生长硅层；
在所述选择性外延生长硅层上沉积多晶硅。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述选择性外延生长硅层之后和所述沉积多晶硅之前包括：干法清洗所述选择性外延生长硅层。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述选择性外延生长硅层和所述沉积多晶硅采用的设备为：集群式设备、炉管式设备或旋转式设备(Merry-go-round)。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述接触孔为位线接触孔。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述选择性外延生长硅层的方法为：硅生长和蚀刻往复进行，采用的气体硅源为SiH2Cl2，蚀刻剂为HCl。
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