[发明专利]封装框架及其制作方法和基板

权利要求书

1.一种封装框架制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S100、提供基础框架，在所述基础框架上表面电镀金属和填充介质形成金属柱和埋芯区，所述介质、所述金属柱和所述埋芯区表面齐平；

S200、在齐平表面上依次形成第一层内置线路层、中间金属柱、第一中间埋芯区和第一层埋芯区延展层，所述第一层埋芯区延展层用于拓展所述埋芯区，所述第一中间埋芯区与所述第一层内置线路层和所述中间金属柱连通；

S300、在所述第一层内置线路层、所述中间金属柱、所述第一中间埋芯区和所述第一层埋芯区延展层中间填充介质、固化并磨平，使所述介质、所述第一层内置线路层、所述中间金属柱、所述第一中间埋芯区和所述第一层埋芯区延展层表面齐平；

S400、当中间埋芯区数量大于等于2时，重复步骤S200和步骤S300、形成第N层内置线路层、中间金属柱、第N层埋芯区延展层、第N中间埋芯区和与第N-1、N-2，……，2，1中间埋芯区对应的第1,2,……N-2，N-1中间埋芯区延展层，所述第N层埋芯区延展层用于拓展所述埋芯区，第X中间埋芯区延展层用于拓展所述第N-X中间埋芯区，所述第N中间埋芯区与所述第N层内置线路层和所述中间金属柱连通，N为大于等于2的整数，X为小于N的整数；

S500、去除所述基础框架，对所述埋芯区、所有埋芯区延展层、所有中间埋芯区和所有中间埋芯区延展层进行刻蚀，形成多个埋芯空腔。

2.根据权利要求1所述的封装框架制作方法，其特征在于：所述基础框架包括从下到上依次连接的介质层、第一金属层和第二金属层，去除所述基础框架包括以下步骤：

将所述第一金属层和所述第二金属层进行分离，移除所述介质层和所述第一金属层；

通过刻蚀工艺去除所述第二金属层。

3.根据权利要求1所述的封装框架制作方法，其特征在于：还包括在内置线路层上表面形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层设置在中间埋芯区底部。

4.根据权利要求3所述的封装框架制作方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层材料为镍金属、钛金属和镍钛合金，所述刻蚀阻挡层厚度为3um到15um。

5.根据权利要求1所述的封装框架制作方法，其特征在于，多个所述埋芯空腔呈阶梯状分布，用于嵌埋不同大小的电子元件。

6.根据权利要求1所述的封装框架制作方法，其特征在于，还包括形成金属种子层，所述金属种子层设置在内置线路层、所述中间金属柱、埋芯区延展层、中间埋芯区和中间埋芯区延展层底部。

7.根据权利要求6所述的封装框架制作方法，其特征在于，所述金属种子层材料包括钛金属、铜金属和钛钨合金，所述金属种子层厚度为0.5um到3um。