[发明专利]一种芯片封装方法有效
申请号: | 202010740310.2 | 申请日: | 2020-07-28 |
公开(公告)号: | CN111883439B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 戴颖;李骏 | 申请(专利权)人: | 南通通富微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/768;H01L25/16 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 226000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 方法 | ||
1.一种芯片封装方法,其特征在于,包括:
将多个芯片的非功能面一侧间隔黏贴于载板上;
在所述载板黏贴有所述芯片的一侧表面形成多个第一导电柱,所述第一导电柱分布在相邻所述芯片的间隔区域以及所述载板的边缘区域;
在所述载板黏贴有所述芯片的一侧形成第一塑封层,所述第一导电柱远离所述载板的一侧表面以及位于所述芯片的功能面上的焊盘从所述第一塑封层中露出;
在所述第一塑封层远离所述载板的一侧形成电连接层,所述第一导电柱、所述焊盘和所述电连接层形成电连接;
在所述电连接层远离所述载板的一侧形成第一平坦化层;
在所述第一平坦化层上形成第二塑封层,以保护所述电连接层;
移除所述载板并切割掉相邻所述芯片之间的部分所述第一导电柱,以获得包含单颗所述芯片的封装体,其中,所述封装体的侧面保留有所述第一导电柱。
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,
所述在所述第一塑封层远离所述载板的一侧形成电连接层的步骤之前,还包括:
在所述第一塑封层远离所述载板的一侧形成图案化的第一钝化层,所述第一钝化层对应所述第一导电柱和所述焊盘的位置形成第一开口,所述第一开口暴露出所述第一导电柱和所述焊盘;
所述在所述第一塑封层远离所述载板的一侧形成电连接层的步骤包括:
在所述第一钝化层远离所述第一塑封层的一侧表面和所述第一开口内形成所述电连接层。
3.根据权利要求2所述的芯片封装方法,其特征在于,所述电连接层包括溅射金属层和再布线层,所述在所述第一钝化层远离所述第一塑封层的一侧表面和所述第一开口内形成所述电连接层的步骤包括:
在所述第一钝化层远离所述第一塑封层的一侧表面和所述第一开口内形成所述溅射金属层;
在所述溅射金属层远离所述第一塑封层的一侧表面形成所述再布线层。
4.根据权利要求1或者2所述的芯片封装方法,其特征在于,所述第一导电柱的高度大于或等于所述芯片的高度。
5.根据权利要求4所述的芯片封装方法,其特征在于,所述芯片的所述功能面的所述焊盘位置处设置有第二导电柱,所述第一导电柱、所述第二导电柱、所述电连接层和所述焊盘形成电连接。
6.根据权利要求5所述的芯片封装方法,其特征在于,所述第一导电柱的高度大于或等于所述芯片的高度与所述第二导电柱的高度之和。
7.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述在所述载板黏贴有所述芯片的一侧表面形成多个第一导电柱的步骤包括:
在所述载板黏贴有所述芯片的一侧表面形成图案化的光阻涂层,所述光阻涂层对应相邻所述芯片的间隔区域以及所述载板的边缘区域设置有第二开口,所述第二开口暴露部分所述载板;
在所述第二开口内形成所述第一导电柱;
去除所述光阻涂层。
8.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述移除所述载板的步骤之前,还包括:
在所述电连接层远离所述载板的一侧形成第二钝化层,以保护所述电连接层。
9.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述移除所述载板的步骤之前,还包括:
在所述电连接层远离所述载板的一侧刷胶形成绝缘胶层,以保护所述电连接层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通通富微电子有限公司,未经南通通富微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010740310.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造