[发明专利]具有双重输出的高频发生器及其驱动方法在审
申请号: | 202010742873.5 | 申请日: | 2020-07-29 |
公开(公告)号: | CN113539773A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 金钟云;金仁范;柳承喜 | 申请(专利权)人: | 新动力等离子体株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 郭放;崔春植 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 双重 输出 高频 发生器 及其 驱动 方法 | ||
本发明的具有双重输出的高频发生器,包括:高频放大部,放大预定电平的直流电压,以输出第一及第二高频放大信号;合路器,耦合所述第一高频放大信号和所述第二高频放大信号,以输出高频功率信号;高频传感器,配置在所述合路器的输出侧,并且检测流动于所述合路器的输出侧的电信号,以输出电检测信号;控制器,利用在外部施加的控制信号和所述电检测信号输出切换控制信号;及切换部,配置在所述合路器和等离子腔室之间,并且被所述切换控制信号控制,进而将所述高频功率信号提供于第一输出端子和第二输出端子。
技术领域
本发明涉及高频发生器,更详细地说,涉及具有双重输出的高频发生器及其驱动方法。
背景技术
举例说明,等离子蚀刻(plasma etching)正在频繁使用于半导体制造中。在等离子蚀刻中,为了蚀刻在基板上暴露的表面,通过电场(electric field)加速。电场是通过由高频功率系统的高频发生器产生的高频功率信号产生。精密控制通过高频发生器产生的高频功率信号,以有效执行等离子蚀刻。
高频功率系统可包括诸如高频发生器、匹配网络(matching network)及等离子腔室的负载(load)。高频功率信号用于驱动负载,以制造各种部件,包括集成电路(IC)、太阳能电池板、光盘(CD)及/或者数字多功能(或录像)光盘(DVD)。负载可包括具有宽带失配负载(broadband mismatched loads;例如,失配电阻终端)、窄带失配负载(例如,2-元件匹配网络)及谐振器(resonator)负载的电缆。
在匹配网络中接收高频功率信号。匹配网络将匹配网络的输入阻抗与高频发生器和匹配网络之间的传输线的特性阻抗进行匹配。阻抗匹配有助于正向朝向等离子腔室(正向功率)适用于匹配网络并且将重新从匹配网络反射回来高频发生器的功率最小化,阻抗匹配也有助于将从匹配网络到等离子腔室的正向输出功率最大化。
图1示出现有技术的高频等离子供应装置,生成等功率离子电平以供应于等离子负载7。
现有技术的高频等离子供应装置包括:AC-DC转换部1、第一高频发生部2、第二高频发生部3、合路器4、高频传感器5及控制器6。
AC-DC转换部1将商用交流电压转换为具有预定电平的直流电压。
第一高频发生部2及第二高频发生部3分别利用从AC-DC转换部1输出的直流电压产生高频信号。
合路器4耦合从第一高频发生部2及第二高频发生部3输出的高频信号。
高频传感器5检查从合路器4向等离子负载7输出的正向高频信号或者从等离子负载7向合路器4输出的逆向高频信号。
控制器6利用从高频传感器5输出的检测信号生成控制信号,以用于控制AC-DC转换部1、第一高频发生部2、第二高频发生部3。
另一方面,如图1所示,现有技术的高频等离子供应装置的结构如下:在将高频功率供应于作为负载的等离子腔室的情况下,只对等离子腔室的一侧电极供应高频功率,而等离子腔室的另一侧则与接地侧连接。然而,随着工艺技术的高科技化,要求在等离子腔室内产生各种大小的等离子。所以,根据另一现有技术,也在等离子腔室的上侧电极和下侧电极使用两台高频等离子供应装置个别供应高频功率。
(现有技术文献)
(专利文献)
韩国授权专利10-0842243,RF等离子供应装置的功率输出控制或者调节方法及RF等离子供应装置。
发明内容
(要解决的问题)
据此,本发明的目的在于,提供一种可将高频功率信号供应于等离子腔室两端的具有双重输出的高频发生器及其驱动方法。
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