[发明专利]显示装置有效
申请号: | 202010743982.9 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN111682035B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 权昭罗;高在庆 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和非显示区域;
共电极线,位于所述非显示区域中;以及
保护层,设置在所述共电极线上,以及
共电极结合部,结合到所述共电极线,
其中,所述显示区域包括至少一个晶体管和至少一个显示元件,其中,所述显示元件包括位于所述基底上的像素电极、位于所述像素电极上的光发射层以及位于所述光发射层上的共电极,所述共电极结合到所述共电极结合部,
其中,所述保护层包括多个第一保护层,
其中,所述共电极结合部和所述显示元件的所述共电极在平面图中与所述多个第一保护层均分隔开。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述保护层还包括多个第二保护层。
3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述多个第一保护层和所述多个第二保护层沿着所述共电极线的方向交替布置。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述共电极线包括金属。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示区域的所述至少一个晶体管包括至少一个薄膜晶体管,所述至少一个薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极,其中,所述共电极线包括与所述源电极和所述漏电极相同的材料。
6.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述保护层与所述共电极线的一侧边缘叠置。
7.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述多个第一保护层和所述多个第二保护层中的至少一者不与所述共电极线的一侧边缘叠置。
8.如权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述多个第一保护层和所述多个第二保护层沿着所述共电极线的所述方向彼此分离。
9.如权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述多个第一保护层和所述多个第二保护层之间的距离在20μm到2000μm的范围内。
10.如权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述多个第一保护层涂覆所述共电极线的远离所述显示区域设置的端部的至少一部分,并且所述多个第二保护层未涂覆所述共电极线的端部。
11.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述保护层具有在20μm到200μm范围内的宽度。
12.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示区域还包括位于所述基底和所述像素电极之间的平坦化层,其中,所述保护层包括与所述平坦化层相同的材料。
13.如权利要求12所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括位于所述平坦化层上以限定像素区域的像素限定层,
其中,所述像素电极和所述光发射层位于所述像素区域中。
14.如权利要求12所述的显示装置,其特征在于,所述共电极结合部位于所述平坦化层上。
15.如权利要求14所述的显示装置,其特征在于,所述共电极结合部包括与所述像素电极相同的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的