[发明专利]显示装置有效
申请号: | 202010743982.9 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN111682035B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 权昭罗;高在庆 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了显示装置。显示装置包括:基底,包括显示区域和非显示区域;共电极线,位于非显示区域中;保护层,涂覆共电极线的端部的至少一部分。
本申请是申请日为2015年7月30日、申请号为201510461261.8、题为“显示装置和用于制造显示装置的方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示装置和一种用于制造该显示装置的方法。
背景技术
诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器的平板显示器包括一对电场产生电极和插入其间的电光活性层。液晶层作为电光活性层被包括在LCD中,有机发射层作为电光活性层被包括在OLED显示器中。
至少一个像素电极和至少一个相对电极被用以驱动电光活性层。像素电极根据像素而被分类,并且相对电极面对像素电极。相对电极可以用针对所有像素设置的共电极来取代。
使用共电极线来向共电极提供电力。共电极线通常位于像素所处的显示单元外部,并且它由具有低电阻的金属制成,以降低或防止电压降(IR-drop)。
然而,在显示装置的制造过程中重复地执行图案化工艺,这导致共电极线的损坏。
将要理解的是,此背景技术部分意图提供对理解这里公开的技术有用的背景,如此,技术背景部分可以包括这样的理念、构思或认识,即,这些理念、构思或认识并不是在这里所公开的主题的相应的有效申请日之前的相关领域的技术人员所知道或领会的部分。
发明内容
本发明的实施例的各方面涉及一种包括涂覆共电极线的端部的至少一部分的保护层的显示装置。
此外,本发明的实施例的各方面涉及一种用于制造包括涂覆共电极线的端部的至少一部分的保护层的显示装置的方法。
根据本发明的实施例,提供了一种显示装置,该显示装置包括:基底,包括显示区域和非显示区域;共电极线,位于非显示区域中;保护层,涂覆共电极线的端部的至少一部分。
在实施例中,共电极线包括金属。
在实施例中,显示区域包括至少一个薄膜晶体管,该至少一个薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极,其中,共电极线包括与源电极和漏电极基本相同的材料。
在实施例中,保护层与共电极线的一侧边缘叠置。
在实施例中,保护层的长度大于或等于显示区域的一侧的长度。
在实施例中,保护层包括沿共电极线的方向彼此分离的第一保护层和第二保护层。
在实施例中,第一保护层和第二保护层之间的距离在大约20μm到大约2000μm的范围内。
在实施例中,第一保护层涂覆共电极线的远离显示区域设置的端部的至少一部分,第二保护层未涂覆共电极线的端部,第一保护层和第二保护层交替地布置。
在实施例中,保护层具有在大约20μm到大约200μm的范围内的宽度。
在实施例中,显示区域包括至少一个显示元件,该至少一个显示元件包括:像素电极,位于基底上;光发射层,位于像素电极上;共电极,位于光发射层上,其中,共电极结合到共电极线。
在实施例中,显示区域还包括位于基底和像素电极之间的平坦化层,其中,保护层包括与平坦化层基本相同的材料。
在实施例中,显示装置还包括位于平坦化层上以限定像素区域的像素限定层,其中,像素电极和光发射层设置在像素区域中。
在实施例中,显示装置还包括位于平坦化层上的共电极结合部,共电极结合部结合到共电极线。
在实施例中,共电极结合部包括与像素电极基本相同的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的