[发明专利]一种二元钼合金溅射靶材及其制备方法

说明书

本发明提供一种二元钼合金溅射靶材及其制备方法，溅射靶材包括以下质量份数的各组分：钼粉60~90份、铌粉5~20份、钛粉5~20份，其制备方法包括：将溅射靶材的原料混合均匀，进行胶套装粉后再进行冷等静压成型，得到坯体；将得到的坯体包套，进行热等静压作业，得到烧结坯；将得到的烧结坯进行加热，然后进行热轧、校平，最后进行退火，得到二元钼合金板坯；将得到的板坯根据所需进行磨削等机加工，得到最终所需产品；本专利生产出的二元钼合金溅射靶材可以用于制作在TFT‑LCD制程中与铜膜层配套使用的过渡层材料，并且通过调节合适的二元组分，提高过渡层与铜膜层的物化性能的匹配性，改善TFT制程中出现的不良。

技术领域

本发明属于高纯金属靶材制备领域，具体涉及一种二元钼合金溅射靶材及其制备方法技术领域。

背景技术

近年来TFT-LCD（薄膜场效应晶体管液晶显示器）显示面板技术向着大尺寸、高分辨率、高刷新率等方向发展，相应的对于承担信号传输的TFT电极布线材料的导电性要求越来越高。

由于铜优异的导电性能，已经逐渐取代铝作为信号传输层，然而铜存在与玻璃基板附着力差的问题，需要沉积一层过渡层以提高铜膜层的附着力。作为形成这种过渡层的材料，溅射靶材被广泛使用。

常规的纯钼及一元钼合金材料具有良好的导电性能，同时与玻璃基板有良好的附着性，因而被广泛应用于与铜搭配的过渡层。但是由于与铜膜层的某些物化性能的不匹配而导致容易出现不良。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种二元钼合金溅射靶材及其制备方法，生产出的二元钼合金溅射靶材，可以用于制作在TFT-LCD制程中与铜膜层配套使用的过渡层材料，并且通过调节合适的二元组分，提高过渡层与铜膜层的物化性能的匹配性，改善TFT制程中出现的不良。

本发明为解决上述技术问题采用的技术方案是：一种二元钼合金溅射靶材，该溅射靶材包括以下质量份数的各组分：钼粉60~90份、铌粉5~20份、钛粉5~20份。

进一步的，钼粉、铌粉、钛粉的纯度均不低于99.9%。

一种二元钼合金溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：

步骤一：按质量份数计算，取钼粉60~90份、铌粉5~20份、钛粉5~20份，在保护气体的气氛下进行球磨混料，充分混合均匀；

步骤二：将步骤一混合均匀后的物料进行胶套装粉，然后进行冷等静压成型，得到坯体；

步骤三：将步骤二得到的坯体包套，进行热等静压作业，得到烧结坯；

步骤四：将步骤三得到的烧结坯在保护气体的气氛下加热，然后进行热轧、校平，最后进行退火，得到二元钼合金板坯；

步骤五：将步骤四得到的板坯根据所需进行磨削等机加工，得到最终所需产品。

进一步的，步骤一中球磨混料的工艺为：将钼粉60~90份、铌粉5~20份、钛粉5~20份置于V型混料机中，按照球料比为1:1~1.5，混料时间为12~48h进行混料。

进一步的，步骤二中所冷等静压压力为100~300MPa，保压时间为3~10min。

进一步的，步骤三中的热等静压作业的条件为：压强为100~200MPa、温度为1000~1600℃，保持时间为3~10h。

进一步的，步骤四中热轧前加热温度为1100~1500℃，分3~5道次轧制，每道次轧制变形量不低于20%。

进一步的，步骤四中退火温度为1000~1400℃、，退火保温时间为0.5~2h，之后自然冷却。