[发明专利]晶体硅片腐蚀速率测试方法

权利要求书

1.晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，包括：

将待腐蚀的硅片称重，记录硅片腐蚀前的重量W₁；

将硅片放到清洗槽内的滚动输送装置上，并使硅片完全浸没在清洗槽内的化学溶液中，设定滚动输送装置在清洗槽内的传送时间和传送速度，对硅片进行清洗和腐蚀；

取出经腐蚀后的硅片称重，记录硅片腐蚀后的重量W₂；

通过腐蚀深度公式(1)计算硅片腐蚀的深度Δh：

根据公式(2)和公式(1)，得到公式(3)，通过公式(3)计算硅片腐蚀速率ν：

Δh＝ν×T (2)

式中：

Δh—硅片腐蚀后腐蚀深度，单位μm

ν—腐蚀速率，单位μm/s

W₁—样品硅片腐蚀前的重量，单位g

W₂—硅片腐蚀后去除杂物的重量，单位g

S—硅片两个腐蚀面的面积，单位cm²

T—受腐蚀时间，单位s

ρ—硅密度，单位g/cm³

重复上述测试硅片，计算每次测试的硅片腐蚀速率，按公式(4)计算硅片腐蚀速率的平均值：

(4)式中:

ν—腐蚀速率的平均值,μm/s；

ν_n—单个样品的腐蚀速率,μm/s；

n—正整数。

2.如权利要求1所述的晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，在所述清洗槽内清洗时，硅片随所述滚动输送装置依次经过碱洗槽、冲洗槽、酸洗槽和冲洗槽，碱洗槽内NaOH碱液的浓度为3-10g/L；酸洗槽内HF酸液的浓度为3-10g/L；所述滚动输送装置的传送速度大于等于1.0m/min。

3.如权利要求2所述的晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，所述称重为利用电子天平称重；所述电子天平上设有用于支撑硅片的托架。

4.如权利要求3所述的晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，所述托架包括置于所述电子天平上的底盘和设于所述底盘上的靠板，所述靠板和所述底盘相交处设有用于定位所述硅片的卡槽。

5.如权利要求4所述的晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，所述靠板为弧形板，所述弧形板的两个立边具有使所述硅片依靠的倾斜度。

6.如权利要求5所述的晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，所述弧形板在所述底盘上的正投影的面积大于所述底盘面积的一半。

7.如权利要求4所述的晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，所述底盘的下表面设有与所述电子天平的托盘卡固的环形槽。

8.如权利要求4所述的晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，所述底盘四周具有向上延伸的支撑边，所述卡槽设置在所述靠板和所述支撑边相交的位置。

9.如权利要求4所述的晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，所述卡槽为V形槽。

10.如权利要求3所述的晶体硅片腐蚀速率测试方法，其特征在于，所述托架为塑料制品或橡胶制品。