[发明专利]晶体硅片腐蚀速率测试方法

说明书

本发明提供了一种晶体硅片腐蚀速率测试方法，属于硅片测试技术领域，包括将待腐蚀的硅片称重，记录硅片腐蚀前的重量W₁；将硅片放到清洗槽内的滚动输送装置上，对硅片进行清洗和腐蚀；取出经腐蚀后的硅片称重，记录硅片腐蚀后的重量W₂；计算硅片腐蚀的深度；计算每次测试的硅片腐蚀速率，计算硅片腐蚀速率的平均值。本发明提供的晶体硅片腐蚀速率测试方法，操作简单，方便可靠，不仅提高了测试数据的精确性，也提高了测试的工作效率。

技术领域

本发明属于硅片技术领域，更具体地说，是涉及一种晶体硅片腐蚀速率测试方法。

背景技术

目前，国内从事光伏产业的企业数量达到500多家，从业人数约为30万人，太阳能电池产能占据全球总产能的51％。无论生产还是进行高效电池的科研，都要对太阳能电池的刻蚀和腐蚀深度进行测试，观测产品质量的稳定性。光伏行业应用太阳能作为清洁生产的新兴能源，备受全球关注，提高电池转换效率成了科研工作的重点；太阳能电池最佳腐蚀深度，直接影响着电池效率的高低。

现在使用的硅片速率测试方法为，固定的小水槽，没有输送装置，在水槽内放入化学溶剂，并配比好后，操作人员用夹具将待测试硅片放到水槽后，用秒表记录时间，到时间后夹出硅片称重计算前后重量差值。水槽更换化学试剂后再重复此种操作。没有规范的腐蚀速率测试方法。

按目前硅片腐蚀速率测试方法，在人工多次取放硅片的过程中存在弊端：1、需求专人操作，操作时间长。2、操作误差大，容易造成试验样品的损伤。3、操作繁琐，计算精度差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶体硅片腐蚀速率测试方法，旨在解决现有的腐蚀速率测试操作误差大，计算精度差的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：提供一种晶体硅片腐蚀速率测试方法，包括：

将待腐蚀的硅片称重，记录硅片腐蚀前的重量W₁；

将硅片放到清洗槽内的滚动输送装置上，并使硅片完全浸没在清洗槽内的化学溶液中，设定滚动输送装置在清洗槽内的传送时间和传送速度，对硅片进行清洗和腐蚀；

取出经腐蚀后的硅片称重，记录硅片腐蚀后的重量W₂；

通过腐蚀深度公式(1)计算硅片腐蚀的深度Δh：

根据公式(2)和公式(1)，得到公式(3)，通过公式(3)计算硅片腐蚀速率ν：

Δh＝ν×T (2)

式中：

Δh—硅片腐蚀后腐蚀深度，单位μm

ν—腐蚀速率，单位μm/s

W₁—样品硅片腐蚀前的重量，单位g

W₂—硅片腐蚀后去除杂物的重量，单位g

S—硅片两个腐蚀面的面积，单位cm²

T—受腐蚀时间，单位s

ρ—硅密度，单位g/cm³

重复上述步骤，按公式(4)计算硅片腐蚀速率的平均值：

(4)式中:

ν—腐蚀速率的平均值,μm/s；

ν_n—单个样品的腐蚀速率,μm/s；

n—正整数。