[发明专利]一种LED芯片、LED芯片的绝缘反射层及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，包括绝缘层(1)，所述绝缘层(1)设有多个均匀间隔设置的导电通孔(2)，各所述导电通孔(2)内分别填充有导电材料；

所述导电通孔(2)包括大径端(21)和小径端(22)，且所述导电通孔(2)沿其轴线由所述大径端(21)向所述小径端(22)渐缩。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，各所述导电通孔(2)的内壁均设有镜面反射层(3)，且所述镜面反射层(3)的反射面朝向所述导电通孔(2)外设置。

3.根据权利要求1或2所述的LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，所述导电材料为形成于所述导电通孔(2)内的石墨烯或阵列碳纳米管。

4.根据权利要求1或2所述的LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，所述导电通孔(2)的截面为圆形，且所述大径端(21)的直径为180μm-220μm，所述小径端(22)的直径为80μm-120μm，相邻两个所述导电通孔(2)的轴心之间的间距为200μm-220μm。

5.一种LED芯片，其特征在于，包括外延层(20)、金属电极(30)以及如权利要求1-4任一项所述的绝缘反射层(10)，所述绝缘反射层(10)夹设于所述外延层(20)和所述金属电极(30)之间，且所述绝缘反射层(10)的导电通孔(2)的大径端(21)朝向所述金属电极(30)的一侧设置。

6.一种LED芯片的绝缘反射层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在外延层上沉积绝缘层；

S2：在所述绝缘层的表面旋涂光刻胶层，并放置掩膜版，光透过掩膜版均匀照射至所述光刻胶层，并在所述光刻胶层形成交联区和未交联区；

S3：清理位于所述未交联区的光刻胶；

S4：采用等离子体对所述未交联区的绝缘层进行等离子体刻蚀以形成导电通孔，所述导电通孔包括大径端和小径端，所述导电通孔沿其轴线由所述大径端向所述小径端渐缩；

S5：在所述导电通孔内设置导电材料。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的绝缘反射层的制备方法，其特征在于，在步骤S4和步骤S5之间还包括步骤S41：在导电通孔内壁蒸镀镜面银以形成镜面反射层，所述镜面反射层的反射面朝向所述导电通孔外设置。

8.根据权利要求7所述的LED芯片的绝缘反射层的制备方法，其特征在于，在步骤S41和步骤S5之间还包括步骤S42：抛光所述导电通孔的内壁。

9.根据权利要求6-8任一项所述的LED芯片的绝缘反射层的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中在所述导电通孔内设置导电材料包括：

S51：在所述导电通孔内沉积纳米级金属催化剂；

S52：以氢氩混合气为载气，二甲苯为碳源，800℃进行阵列碳纳米管生长，生长时间5s-10s，碳纳米管的长度为150nm-250nm，直径为20nm-50nm；

或者，

以氢氩混合气为载气，甲烷为碳源，在1050℃环境下进行石墨烯生长，生长时间为5s-10s，所述石墨烯的片径尺寸为100mm-500nm。

10.根据权利要求6-8任一项所述的LED芯片的绝缘反射层的制备方法，其特征在于，在步骤S1之前还包括步骤S0：清洗所述外延层，将所述外延层的正面朝上并烘干。