[发明专利]石墨烯薄膜、多孔二氧化硅粉末和透明导电层的制作方法有效
申请号: | 202010745877.9 | 申请日: | 2020-07-29 |
公开(公告)号: | CN111926307B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 夏玉明;卓恩宗;李伟 | 申请(专利权)人: | 北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/02;C23C16/455;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 薄膜 多孔 二氧化硅 粉末 透明 导电 制作方法 | ||
1.一种石墨烯薄膜的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一多孔材料粉末;
在原子层沉积装置中放入多孔材料粉末;
在原子层沉积装置中沉积金属催化层,使金属催化层沉积在所述多孔材料粉末的孔内,形成孔内有金属催化层的多孔材料粉末;
使用孔内有金属催化层的多孔材料粉末,形成孔内有金属催化层的多孔材料模板;以及
在多孔材料模板上制备得到石墨烯薄膜;
所述在原子层沉积装置中沉积金属催化层,使金属催化层沉积在所述多孔材料粉末的孔内,形成孔内有金属催化层的多孔材料粉末的步骤包括:
在原子层沉积装置中持续通入预设时间的铜前驱体或镍前驱体,停留预设时间,持续通入预设时间的惰性气体吹扫;
在原子层沉积装置中持续通入预设时间的还原气体,停留预设时间,持续通入预设时间的惰性气体吹扫;以及
重复执行上述两个步骤直至达到预设重复次数,形成所述铜催化层或镍催化层;
其中,所述铜催化层或镍催化层的厚度为10-30nm。
2.如权利要求1所述的一种石墨烯薄膜的制作方法,其特征在于,所述提供一多孔材料粉末的步骤中:
按比例添加水和有机溶剂的混合液;
添加硅前驱体源和表面活性剂;
添加催化剂;
在20-50℃下,400-800rpm(转每分)快速分散4-10小时;离心分离得到分级多孔二氧化硅
其中,所述多孔材料粉末为分级多孔二氧化硅粉末;所述水和有机溶剂的比例范围为0.3-0.5,有机溶剂为乙醇、异丙醇或丁醇,硅前驱体源为正硅酸乙酯(TEOS,Si(OC2H5)4),表面活性剂为CTAB(Hexadecyl trimethyl ammonium Bromide,十六烷基三甲基溴化铵)或CTAC(Hexadecyl trimethyl ammonium Chloride,十六烷基三甲基氯化铵);催化剂为氨水。
3.如权利要求1所述的一种石墨烯薄膜的制作方法,其特征在于,所述铜前驱体或镍前驱体的持续通入预设时间为0.01s-0.2s,停留预设时间为2s-20s;所述还原性气体的持续通入预设时间为0.01s-0.5s,停留预设时间为2s-20s;所述预设重复次数为50次至200次。
4.如权利要求3所述的一种石墨烯薄膜的制作方法,其特征在于,所述铜前驱体包括:N,N-二异丙基乙酸铜、1,5-环辛二烯铜、六氟-2,4-戊二酮铜、乙酰丙酮铜中的至少一种;
所述原子层沉积装置的压强设置为0.05-10torr,温度150-300℃。
5.如权利要求4所述的一种石墨烯薄膜的制作方法,其特征在于,所述在在多孔材料模板上制备石墨烯薄膜的步骤包括以下步骤:
将多孔材料模板放入化学气相淀积腔室内,通入氩气(Ar)和氢气(H2)混合气体,加热至预设温度;
通入碳源前驱体,生长预设时间后冷却降温,形成带有多孔材料模板的石墨烯薄膜;以及
将带有多孔材料模板的石墨烯薄膜浸入到剥离液中形成石墨烯薄膜。
6.如权利要求5所述的一种石墨烯薄膜的制作方法,其特征在于,所述预设温度800-1200℃,所述碳源前驱体通入速率可选为10-30标况毫升每分,碳源前驱体包括:CH4、C2H2或C2H6,生长预设时间设置为1-5分钟;所述剥离液为FeCl3溶液和氢氧化钠溶液、或FeCl3溶液和氢氟酸溶液的混合液。
7.一种显示面板的透明导电层的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
通过上述权利要求1-6任意一项所述的石墨烯薄膜的制作方法制成石墨烯薄膜;
使用所述石墨烯薄膜作为显示面板的基板的透明导电层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司,未经北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010745877.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种低压抽出式成套开关安装结构及其安装方法
- 下一篇:一种三聚氰酸的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的