[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

第一晶片，具有第一导电垫；

第二晶片，设置在该第一晶片上，且具有第二导电垫；

封装材料，覆盖该第一晶片与该第二晶片，且具有上部、下部与邻接该上部与该下部的倾斜部，其中该上部位于该第二晶片上，该下部位于该第一晶片上；以及

重布线层，沿该上部、该倾斜部与该下部设置，且电性连接该第一导电垫与该第二导电垫。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该封装材料的该下部与该上部分别具有第一通孔与第二通孔，且该第一导电垫与该第二导电垫分别位于该第一通孔与该第二通孔中。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该封装材料的该倾斜部与该下部之间夹钝角。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该封装材料的该下部的上表面低于该上部的上表面。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括贴合胶，设置于该第一晶片与该第二晶片之间。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括钝化层，覆盖该重布线层及该封装材料。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，其中该钝化层与该封装材料由不同材料制造。

8.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，其中该钝化层包括开口，该晶片封装体还包括导电结构，该导电结构位于该开口中的该重布线层上。

9.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：

接合第一晶片与第二晶片，其中该第一晶片与该第二晶片分别具有第一导电垫与第二导电垫；

形成封装材料以覆盖该第一晶片与该第二晶片；

移除围绕该第二晶片的该封装材料的一部分，使得该封装材料具有上部、下部与邻接该上部与该下部的倾斜部，其中该上部位于该第二晶片上，该下部位于该第一晶片上；

于该封装材料的该下部与该上部分别形成第一通孔与第二通孔，使该第一导电垫与该第二导电垫分别从该第一通孔与该第二通孔裸露；以及

形成沿该封装材料的该上部、该倾斜部与该下部设置的重布线层，其中该重布线层延伸至该第一通孔中的该第一导电垫与该第二通孔中的该第二导电垫。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，其中移除围绕该第二晶片的该封装材料的该部分是以刀具切除的方法执行。

11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，其中于该封装材料的该下部与该上部分别形成该第一通孔与该第二通孔是以激光钻孔的方法执行。

12.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成钝化层以覆盖该重布线层及该封装材料。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成开口于该钝化层中以暴露该重布线层。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成导电结构于该开口中的该重布线层上，以电性连接重布线层。