[发明专利]晶片封装体及其制造方法

说明书

一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括第一晶片、第二晶片、封装材料以及重布线层。第一晶片具有第一导电垫。第二晶片设置在第一晶片上，且具有第二导电垫。封装材料覆盖第一与第二晶片，且具有上部、下部与邻接上部与下部的倾斜部。上部位于第二晶片上，下部位于第一晶片上。重布线层沿上部、倾斜部与下部设置，且电性连接第一导电垫与第二导电垫。由于晶片封装体的第一与第二晶片是在垂直方向上堆叠，因此不仅可缩减晶片封装体的面积，还可让晶片封装体具有多样化的功能。此外，由于封装材料具有倾斜部及分别位于第一与第二晶片上的下部与上部，因此可有效降低封装材料的通孔的深宽比(Aspect ratio)，使其上的重布线层不易断线，提升可靠度。

技术领域

本发明关于一种晶片封装体及一种晶片封装体的制造方法。

背景技术

传统的晶片封装体将多个晶片相邻放置，通过打线接合方式电性连接至印刷电路板(PCB)的同一侧，而印刷电路板的另一侧再通过导电结构(如锡球)与外部元件连接。然而，当多个晶片要整合至同一个封装体中时，则会使晶片封装体的面积大幅增加，不利于微小化设计。此外，打线接合的封装方式可靠度较低，同时也需占据封装体的体积，如打线顶部的高度。

发明内容

本发明的一技术态样为一种晶片封装体。

根据本发明一实施方式，一种晶片封装体包括第一晶片、第二晶片、封装材料以及重布线层。第一晶片具有第一导电垫。第二晶片设置在第一晶片上，且具有第二导电垫。封装材料覆盖第一晶片与第二晶片，且具有上部、下部与邻接上部与下部的倾斜部。上部位于第二晶片上，下部位于第一晶片上。重布线层沿上部、倾斜部与下部设置，且电性连接第一导电垫与第二导电垫。

在本发明一实施方式中，封装材料的下部与上部分别具有第一通孔与第二通孔，且第一导电垫与第二导电垫分别位在第一通孔与第二通孔中。

在本发明一实施方式中，封装材料的下部的上表面低于上部的上表面。

在本发明一实施方式中，封装材料的倾斜部与下部之间夹钝角。

在本发明一实施方式中，晶片封装体还包括贴合胶，设置于第一晶片第二晶片之间。

在本发明一实施方式中，晶片封装体还包括钝化层，覆盖重布线层及封装材料。

在本发明一实施方式中，钝化层与封装材料由不同材料制造。

在本发明一实施方式中，钝化层包括开口，晶片封装体还包括导电结构，导电结构位于开口中的重布线层上。

本发明的另一技术态样为一种晶片封装体的制造方法。

根据本发明一实施方式，一种晶片封装体的制造方法包括接合第一晶片与第二晶片，其中第一晶片与第二晶片分别具有第一导电垫与第二导电垫；形成封装材料以覆盖第一晶片与第二晶片；移除围绕第二晶片的封装材料的一部分，使得封装材料具有上部、下部与邻接上部与下部的倾斜部，其中上部位于第二晶片上，下部位于第一晶片上；于封装材料的下部与上部分别形成第一通孔与第二通孔，使第一导电垫与第二导电垫分别从第一通孔与第二通孔裸露；以及形成沿封装材料的上部、倾斜部与下部设置的重布线层，其中重布线层延伸至第一通孔中的第一导电垫与第二通孔中的第二导电垫。

在本发明一实施方式中，移除围绕第二晶片的封装材料的部分是以刀具切除的方法执行。

在本发明一实施方式中，于封装材料的下部与上部分别形成第一通孔与第二通孔是以激光钻孔的方法执行。

在本发明一实施方式中，晶片封装体的制造方法还包括形成钝化层以覆盖重布线层及封装材料。

在本发明一实施方式中，晶片封装体的制造方法还包括形成开口于钝化层中以暴露重布线层。

在本发明一实施方式中，形成导电结构于开口中的重布线层上，以电性连接重布线层。