[发明专利]一种高频低介电材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010748829.5 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111849097B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 侯远;梁希亭;江建勇;胡澎浩 | 申请（专利权）人： | 佛山（华南）新材料研究院 |
| 主分类号： | C08L27/18 | 分类号： | C08L27/18;C08K3/36;C08K3/22;C08K3/24;C08J5/18;C08J7/00;C08J7/04 |
| 代理公司： | 佛山信智汇知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44629 | 代理人： | 唐杏姣 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区桂城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高频 低介电 材料 制备 方法 | ||
1.一种高频低介电材料的制备方法,其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
S1.称取聚四氟乙烯乳液、填料并依次加入分散机中，充分分散均匀获得聚四氟乙烯乳液与填料的分散体系；
S2.往聚四氟乙烯乳液与填料的分散体系中加入乙醇，继续搅拌至所述分散体系破乳，得到面团状的材料；
S3.启动开炼机，对S2中得到的材料进行开炼，获得纤维化的材料；
S4.将S3中得到的材料放置辊压机中，压制后，进行干燥固化，得到膜材料；
S5.将S4中得到的膜材料放置在聚四氟乙烯溶液中浸扎后，进行干燥固化，并在温度大于250℃的条件下热处理0.5-1.5h，得到高频低介电材料；
其中，所述填料为硅微粉、二氧化钛、钛酸钡中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的高频低介电材料的制备方法,其特征在于，所述分散机中设置的条件为：搅拌速度为10-1000r/min，搅拌时间为20-30min。
3.根据权利要求1所述的高频低介电材料的制备方法,其特征在于，按照体积比，所述聚四氟乙烯乳液与所述填料的添加量比例为：1:0.2-9。
4.根据权利要求1所述的高频低介电材料的制备方法,其特征在于，按照体积比，所述聚四氟乙烯乳液与所述乙醇的添加量比例为：1:0.3-2.0。
5.根据权利要求1所述的高频低介电材料的制备方法,其特征在于，所述开炼的条件为：开炼温度为40-80°，开炼的时间为5-60min。
6.根据权利要求1所述的高频低介电材料的制备方法,其特征在于，所述压制的厚度为0.1-1cm。
7.根据权利要求1所述的高频低介电材料的制备方法,其特征在于，所述辊压机速度为0.1-5m/min,所述辊压机的压力为5-30Mpa，所述辊压机的温度为40-60°。
8.根据权利要求1所述的高频低介电材料的制备方法,其特征在于，所述浸扎为压力浸扎，所述压力浸扎的压力为5-10Mpa。
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