[发明专利]半导体结构与用以制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包含：

一源极线结构，包含一复合材料形成于一沟道中，该复合材料包含：

一氧化物部；及

一金属部。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属部具有一上表面与一下表面，该下表面相对于该上表面，该上表面具有一表面积大于该下表面具有的一表面积。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该氧化物部形成于该金属部之下且直接接触该金属部的该下表面。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该金属部具有小于2000埃的一厚度。

5.如权利要求1所述的半导体结构，更包含一势垒元件形成于该沟道的一侧壁上。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该势垒元件具有介于20埃与40埃之间的一宽度，且该势垒元件包含钛。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该氧化物部包含低温氧化物。

8.一种用以制造半导体结构的方法，包含：

于一堆叠结构中形成一沟道；及

形成一复合材料于该沟道中以形成一源极线结构，

其中形成该复合材料于该沟道中的步骤包含：

形成一氧化物部于该沟道中；及

形成一金属部于该沟道中。

9.如权利要求8所述的方法，其中在形成该金属部于该沟道中的步骤中，该金属部具有一上表面与一下表面，该下表面相对于该上表面，该上表面具有一表面积大于该下表面具有的一表面积。

10.如权利要求8所述的方法，其中形成于该沟道中的该金属部具有小于2000埃的一厚度。