[发明专利]半导体结构与用以制造其的方法

说明书

本发明提供一种半导体结构与用以制造其的方法。半导体结构包含源极线结构。源极线结构包含形成于沟道中的复合材料。复合材料包含氧化物部与金属部。

技术领域

本发明是有关于半导体结构与用以制造其的方法，且特别有关于具有包含复合材料的源极线结构的半导体结构。

背景技术

现有技术中，半导体结构中的源极线结构通常以多晶硅(polysilicon)或金属材料制成，例如钨(tungsten；W)。此类源极线结构面临多种问题，例如隐含于金属材料中的氟气体(fluorine gases)导致不稳定的绝缘问题、以及应力(stress)导致的错位(dislocation)问题。

氟气体从源极线结构释放至形成于源极线上方的层，使得源极线上方的层被氟气体侵蚀而产生孔洞(pits)，形成于源极线上方的层例如是盖层(cap layer)。形成于源极线上方的层的孔洞会对源极线的绝缘产生不良影响。此外，应力可能存在于源极线结构的制造过程中。应力可导致弯曲的源极线结构、倾斜的存储单元组(memory cell groups)与后段工艺(back-end of line process；BEOL process)中的错位问题。例如，错位问题可包含当形成通孔(via)于源极线结构上时，通孔和源极线结构未对准(misalignment)。

因此，有需要提供具有改善的源极线结构的半导体结构，其具备改良的绝缘性质与减少的错位缺陷，且仍具有良好的导电性。

发明内容

本发明是有关于半导体结构与用以制造其的方法。

根据一实施例，提供半导体结构。半导体结构包含源极线结构。源极线结构包含复合材料形成于沟道中。复合材料包含氧化物部与金属部。

根据另一实施例，提供用以制造半导体结构的方法。制法包含：于堆叠结构中形成沟道；及形成复合材料于沟道中以形成源极线结构。形成复合材料于沟道中的步骤包含：形成氧化物部于沟道中；及形成金属部于沟道中。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下。

附图说明

图1为简要绘示根据本发明的一实施例的半导体结构的剖面图；

图2为简要绘示根据本发明的一实施例的半导体结构的局部放大图；及

图3A-3E为示例性绘示用以制造根据本发明的一实施例的半导体结构的方法。

【符号说明】

100：半导体结构

101：基板

102：沟道

103：金属部

103B：下表面

103U：上表面

104：氧化物部

105：势垒元件

106：导电层

107：绝缘层

108：氧化层

201：介电膜

202：通道层

203：存储层

204：接垫

301：介电层

1010：堆叠结构

CM：复合材料

D1：第一方向

D2：第二方向