[发明专利]盖板托盘组件及半导体设备的工艺腔室在审
| 申请号： | 202010751177.0 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863702A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张君;刘珊珊;王春 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 盖板 托盘 组件 半导体设备 工艺 | ||
1.一种盖板托盘组件，其特征在于，包括：托盘主体、盖板及中间介质，其中：
所述托盘主体用于承载晶片；
所述盖板设置于所述托盘主体上，且所述盖板上设置有压合部，所述压合部与所述晶片的边缘接触；
所述中间介质设置于所述托盘主体与所述盖板之间，且所述中间介质的上表面和下表面分别与所述盖板和所述托盘主体接触，用于使所述托盘主体与所述盖板之间形成一空间，以降低所述压合部与所述晶片之间的电势差。
2.根据权利要求1所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述空间内含有气体，在所述托盘主体与所述盖板之间形成第一电容。
3.根据权利要求2所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述中间介质包括至少一个垫片。
4.根据权利要求3所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述盖板上开设有密封圈槽，所述密封圈槽内设置有用于密封所述空间的密封圈。
5.根据权利要求2-4任一项所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述第一电容的取值范围为50pF～1000pF。
6.根据权利要求1-4任一项所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述中间介质为绝缘材质，其厚度的取值范围为3mm～10mm。
7.根据权利要求4所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述密封圈槽位于距离所述盖板的边缘3毫米-6毫米范围内。
8.一种盖板托盘组件，其特征在于，包括：托盘主体、盖板及中间介质，其中：
所述托盘主体用于承载晶片；
所述盖板设置于所述托盘主体上，且所述盖板上设置有压合部，所述压合部与所述晶片的边缘接触；
所述中间介质包括至少一涂层，所述涂层涂覆于所述托盘主体的上表面或者所述盖板的下表面，以隔离所述托盘主体与所述盖板，使所述托盘主体与所述盖板之间形成一空间，以降低所述压合部与所述晶片之间的电势差。
9.根据权利要求8所述的盖板托盘组件，其特征在于，所述涂层的材质为二氧化硅或者氮化硅中的至少一种。
10.一种半导体设备的工艺腔室，包括腔室主体和位于所述腔室主体内的如权利要求1-9任一项所述的盖板托盘组件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
