[发明专利]一种半导体陶瓷熔射后去保护装置及其使用方法

权利要求书

1.一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，包括置物板(1)，其特征在于：所述置物板(1)的下端螺钉连接有电机(15)，所述电机(15)的输出端贯穿置物板(1)卡接连接有传动轴(4)，所述传动轴(4)的上端卡接连接有工作盒(8)，所述工作盒(8)的内部开设有两个滑动腔(9)，所述工作盒(8)的一侧且位于两所述滑动腔(9)的一侧均开设有第一滑槽(10)，所述滑动腔(9)的内部滑动连接有滑动板(17)，所述滑动板(17)的一端和第一滑槽(10)间隙配合，所述滑动板(17)的内部转动连接有限位圈(18)，所述工作盒(8)一端的中间位置转动连接有主动轮(16)，所述主动轮(16)远离工作盒(8)的一端转动连接有第一旋转把手(14)，两所述滑动板(17)贯穿第一滑槽(10)的一端且分别位于主动轮(16)的上端和下端均焊接连接有第一啮齿条(13)，且所述第一啮齿条(13)和主动轮(16)通过啮齿连接；

所述工作盒(8)上端远离第一滑槽(10)的一端和工作盒(8)下端远离第一滑槽(10)的一端且位于两所述滑动腔(9)的一侧均焊接连接有两个限位支架(20)，位于上端的两所述限位支架(20)之间转动连接有第一传动蜗杆(19)，位于下端的两所述限位支架(20)之间转动连接有第二传动蜗杆(35)；

所述限位圈(18)外侧的下端焊接连接有第一传动涡轮圈(22)，且所述第一传动涡轮圈(22)和第二传动蜗杆(35)通过啮合连接，所述限位圈(18)外侧的上端开设有环形槽(25)，所述环形槽(25)的外侧转动连接有转动圈(23)，所述转动圈(23)外侧的中间位置焊接连接有第二传动涡轮圈(24)，且所述第二传动涡轮圈(24)和第一传动蜗杆(19) 啮合连接，所述转动圈(23)外侧的上端焊接连接有主动啮齿圈(26)，所述限位圈(18)的上端焊接连接有环形安装板(31)，所述环形安装板(31)的内部且位于转动圈(23)的周侧转动连接有三个转动杆(29)，所述转动杆(29)的下端卡接连接有第一从动啮齿轮(28)，且所述第一从动啮齿轮(28)和主动啮齿圈(26)通过啮齿连接，所述转动杆(29)的上端卡接连接有第二从动啮齿轮(30)，所述环形安装板(31)的上端且位于转动杆(29)的一侧开设有第三滑槽(27)，所述第三滑槽(27)的内部滑动连接有T形滑动条(34)，所述T形滑动条(34)的上端焊接连接有第二啮齿条(33)，所述第二啮齿条(33)的一端固定有切割刀具(32)，所述置物板(1)的上端且位于传动轴(4)的一侧固定有承重支架(6)，所述承重支架(6)的上端螺钉连接有红外线测量仪(7)，所述置物板(1)的上端且位于承重支架(6)的一侧固定有控制台(5)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述工作盒(8)的上端且位于两所述滑动腔(9)的一侧均开设有第二滑槽(11)，所述第二滑槽(11)的内部滑动连接有加固板(12)，且所述加固板(12)和第一啮齿条(13)通过焊接连接。

3.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述置物板(1)的下端开设有内螺纹孔洞，所述置物板(1)的下端螺钉连接有四个承重杆(2)。

4.根据权利要求3所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，四所述承重杆(2)的下端均套接连接有垫脚(3)，所述垫脚(3)的下端设置有防滑纹。

5.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述第一传动蜗杆(19)和第二传动蜗杆(35)的一端均焊接连接有第二旋转把手(21)。

6.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述滑动板(17)的内部卡接连接有轴承，且所述轴承和限位圈(18)通过卡接连接。

7.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述限位圈(18)的外侧且位于滑动板(17)的上端和下端均设置有环形限位挡板。

8.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述切割刀具(32)的外形呈半圆形。

9.一种半导体陶瓷熔射后去保护装置的使用方法，用于如权利要求1-8任意一项所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，步骤如下：

S1：通过旋转第一旋转把手(14)带动主动轮(16)一起旋转，因为主动轮(16)和第一啮齿条(13)通过啮齿连接，主动轮(16)旋转时会通过第一啮齿条(13)带动滑动板(17)在滑动腔(9)的内部进行移动，从而调节两个限位圈(18)之间的间距；

S2：然后将半导体插入两个限位圈(18)的内部；

S3：再旋转位于第一传动蜗杆(19)一端的第二旋转把手(21)带动第一传动蜗杆(19)进行转动，调整切割刀具(32)的位置，使三个切割刀具(32)均与半导体紧密接触，从而对半导体进行固定；

S4：然后通过装置导线电性连接的外部电源将装置启动，红外线测量仪(7)启动后会放射出红外线对红外线测量仪(7)和半导体之间的间距进行检测；

S5：启动电机(15)，电机(15)启动后会通过传动轴(4)带动工作盒(8)进行转动，当工作盒(8)带动半导体进行转动时，红外线会对半导体熔射后的陶瓷进行检测，检测陶瓷的平整度；

S6：检测完成后将旋转位于第二传动蜗杆(35)一端的第二旋转把手(21)，因为第二传动蜗杆(35)和第一传动涡轮圈(22)通过啮合连接，第二传动蜗杆(35)旋转时会通过第一传动涡轮圈(22)带动限位圈(18)进行转动，从而带动切割刀具(32)进行转动，对半导体的保护层进行切割；

S7：切割完成后将半导体从限位圈(18)的内部拔出，使半导体和保护层分离，对检测合格半导体进行清洗，对检测不合格的半导体进行反熔射。