[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法有效
申请号: | 202010751811.0 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111834381B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 王明;宋威;胡迎宾;宋星星 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 王婷;姜春咸 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个子像素单元,每个所述子像素单元包括多个薄膜晶体管,其特征在于,每个所述薄膜晶体管包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的有源层、绝缘层及栅极层,且至少一个所述薄膜晶体管的所述有源层与所述绝缘层之间设置有第一缓冲层,所述第一缓冲层用于增大所述有源层与所述栅极层之间的距离。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,对于每个所述子像素单元,所述薄膜晶体管包括三个,分别为一个驱动晶体管和两个开关晶体管,其中,至少一个所述开关晶体管的所述有源层与所述绝缘层之间设置有所述第一缓冲层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一缓冲层在所述衬底基板上的投影覆盖三个所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的投影,所述驱动晶体管的所述有源层设置在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的一侧,两个所述开关晶体管的所述有源层均设置在所述第一缓冲层靠近所述衬底基板的一侧。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每个所述薄膜晶体管还包括层间绝缘层和源极漏极层,所述层间绝缘层设置在所述第一缓冲层上,且覆盖所述栅极层、所述绝缘层及所述开关晶体管的所述有源层;
所述源极漏极层包括主体部和连接部,所述主体部设置在所述层间绝缘层上,所述连接部从所述主体部向下延伸,穿过所述层间绝缘层与所述有源层连接。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,每个所述薄膜晶体管还包括第二缓冲层和遮光层,所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层靠近所述衬底基板的一侧,且所述第二缓冲层在所述衬底基板上的投影与所述第一缓冲层在所述衬底基板上的投影重合;所述开关晶体管的所述有源层设置在所述第二缓冲层上;
所述遮光层位于所述第二缓冲层靠近所述衬底基板的一侧,用于对所述有源层和所述栅极层进行遮光。
6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一缓冲层与所述绝缘层的材质均为透明的绝缘材料。
7.一种显示面板,包括发光基板和阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种显示装置,包括显示面板和向所述显示面板提供控制信号的集成电路,其特征在于,所述显示面板为权利要求7所述的显示面板。
9.一种阵列基板的制作方法,包括在衬底基板上形成多个子像素单元,每个所述子像素单元包括多个薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管的制作包括:
在所述衬底基板上形成至少一个所述薄膜晶体管的有源层;
在所述有源层上形成第一缓冲层;
在所述第一缓冲层上,或者在所述衬底基板上形成其余所述薄膜晶体管的所述有源层;
在位于所述第一缓冲层上的所述有源层上,及所述第一缓冲层上对应下层的所述有源层的位置形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成栅极层。
10.一种阵列基板的制作方法,包括在衬底基板上形成多个子像素单元,每个所述子像素单元包括三个薄膜晶体管,分别为一个驱动晶体管和两个开关晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管的制作包括:
在所述衬底基板上形成至少一个所述开关晶体管的有源层;
在所述有源层上形成第一缓冲层,所述第一缓冲层在所述衬底基板上的投影覆盖三个所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的投影;
在所述第一缓冲层上形成所述驱动晶体管的所述有源层;
在所述驱动晶体管的所述有源层上形成所述驱动晶体管的绝缘层,在所述第一缓冲层上对应所述开关晶体管的所述有源层的位置形成所述开关晶体管的所述绝缘层;
在所述绝缘层上形成栅极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的