[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法

说明书

本申请涉及显示领域，提供一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法，该阵列基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的多个子像素单元，每个子像素单元包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括沿远离衬底基板的方向依次设置的有源层、绝缘层及栅极层，且至少一个薄膜晶体管的有源层与绝缘层之间设置有第一缓冲层，第一缓冲层用于增大有源层与栅极层之间的距离。应用本申请，可以减少或避免产品在进行电学补偿后出现线性不良的现象，提高顶栅产品的良率。

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域，具体地，涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法。

背景技术

目前，由于顶栅结构的TFT器件电极电阻率较低、响应速度较快、成本较低等优点，无论是在LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)器件还是OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)器件中都有广泛应用。但是，在实际应用过程中，某些包括顶栅结构的模组产品经常在进行电学补偿后出现线性不良的现象，影响产品的良率。

发明内容

本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法，可以减少或避免产品在进行电学补偿后出现线性不良的现象，提高顶栅产品的良率。

为实现本申请的目的，第一方面提供一种阵列基板，包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个子像素单元，每个所述子像素单元包括多个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的有源层、绝缘层及栅极层，且至少一个所述薄膜晶体管的所述有源层与所述绝缘层之间设置有第一缓冲层，所述第一缓冲层用于增大所述有源层与所述栅极层之间的距离。

可选地，对于每个所述子像素单元，所述薄膜晶体管包括三个，分别为一个驱动晶体管和两个开关晶体管，其中，至少一个所述开关晶体管的所述有源层与所述绝缘层之间设置有所述第一缓冲层。

可选地，所述第一缓冲层在所述衬底基板上的投影覆盖三个所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的投影，所述驱动晶体管的所述有源层设置在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的一侧，两个所述开关晶体管的所述有源层均设置在所述第一缓冲层靠近所述衬底基板的一侧。

可选地，每个所述薄膜晶体管还包括层间绝缘层和源极漏极层，所述层间绝缘层设置在所述第一缓冲层上，且覆盖所述栅极层、所述绝缘层及所述开关晶体管的所述有源层；

所述源极漏极层包括主体部和连接部，所述主体部设置在所述层间绝缘层上，所述连接部从所述主体部向下延伸，穿过所述层间绝缘层与所述有源层连接。

可选地，每个所述薄膜晶体管还包括第二缓冲层和遮光层，所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层靠近所述衬底基板的一侧，且所述第二缓冲层在所述衬底基板上的投影与所述第一缓冲层在所述衬底基板上的投影重合；所述开关晶体管的所述有源层设置在所述第二缓冲层上；

所述遮光层位于所述第二缓冲层靠近所述衬底基板的一侧，用于对所述有源层和所述栅极层进行遮光。

可选地，所述第一缓冲层与所述绝缘层的材质均为透明的绝缘材料。

为实现本申请的目的，第二方面提供一种显示面板，包括发光基板和阵列基板，所述阵列基板为第一方面所述的阵列基板。

为实现本申请的目的，第二方面提供一种显示装置，包括显示面板和向所述显示面板提供控制信号的集成电路，所述显示面板为第二方面所述的显示面板。

为实现本申请的目的，第三方面提供一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上形成多个子像素单元，每个所述子像素单元包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的制作包括：

在所述衬底基板上形成至少一个所述薄膜晶体管的有源层；

在所述有源层上形成第一缓冲层；