[发明专利]屏蔽栅功率器及其制造方法

权利要求书

1.一种屏蔽栅功率器的制造方法，其特征在于，

提供衬底，并在所述衬底上依次形成外延层和第一掩模层；

以所述第一掩模层为掩模刻蚀所述外延层以形成沟槽；

在所述沟槽内依次形成屏蔽栅层和第一初始介质层，所述第一初始介质层至少覆盖在所述屏蔽栅层的顶表面，并且所述第一初始介质层的顶表面不低于所述外延层的顶表面；

刻蚀去除所述第一掩模层，并在刻蚀过程中还侧向侵蚀所述第一初始介质层，而在所述第一初始介质层的侧边形成第一缺口；

对所述第一初始介质层执行第一刻蚀工艺，以首次减薄所述第一初始介质层，并且还刻蚀所述第一缺口以形成第二缺口，所述第二缺口的开口所对应的第二平面相对于所述第一缺口的开口所对应的第一平面更朝向所述沟槽的中心倾斜；

对所述第一初始介质层执行第二刻蚀工艺，以再次减薄所述第一初始介质层以形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成栅多晶硅层。

2.如权利要求1所述的屏蔽栅功率器的制造方法，其特征在于，所述第二缺口的开口的宽度大于所述第一缺口的开口的宽度。

3.如权利要求1所述的屏蔽栅功率器的制造方法，其特征在于，所述第二缺口的开口的宽度为160nm～220nm。

4.如权利要求1所述的屏蔽栅功率器的制造方法，其特征在于，首次减薄的所述第一初始介质层的厚度为：50nm-300nm。

5.如权利要求1所述的屏蔽栅功率器的制造方法，其特征在于，对所述第一初始介质层执行第一刻蚀工艺的刻蚀方法包括：湿法刻蚀。

6.如权利要求5所述的屏蔽栅功率器的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的速率为

7.如权利要求1所述的屏蔽栅功率器的制造方法，其特征在于，再次减薄所述第一初始介质层以形成第一介质层的方法包括：

在所述外延层顶表面和所述第一初始介质层顶表面上沉积掩模材料，以形成第二掩模材料层，其中所述掩模材料还填充所述第二缺口；

刻蚀所述第二掩模材料层以去除位于所述第一初始介质层顶表面上的所述掩模材料并保留填充在所述第二缺口内的所述掩模材料，以在所述外延层的顶表面形成第二掩模层；

以所述第二掩模层为掩模，刻蚀所述第一初始介质层并去除位于所述第二缺口内的所述掩模材料，以再次减薄所述第一初始介质层以形成第一介质层。

8.如权利要求1所述的屏蔽栅功率器的制造方法，其特征在于，形成所述第一初始介质层的方法包括：

在所述屏蔽栅层表面及所述外延层顶表面上形成第一介质材料层；

研磨所述第一介质材料层并停止在所述第一掩模层，以形成所述第一初始介质层。

9.如权利要求1所述的屏蔽栅功率器的制造方法，其特征在于，在形成所述屏蔽栅层之前，所述方法还包括：

在所述沟槽内形成第二初始介质层，所述第二初始介质层覆盖所述沟槽的内表面；

以及，在形成所述屏蔽栅层的同时或之后，刻蚀所述第二初始介质层以形成第二介质层，并使所述屏蔽栅层的顶部凸出于所述第二介质层。

10.一种屏蔽栅功率器，其特征在于，所述屏蔽栅功率器通过如权利要求1～9任意一项所述的屏蔽栅功率器的制造方法制成。