[发明专利]C/SiC复合材料快速制备方法有效
| 申请号： | 202010754019.0 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112047748B | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 高银东;陈海昆;佘平江;李艳阳 | 申请（专利权）人： | 湖北三江航天江北机械工程有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/589;C04B35/622 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 胡镇西;张继巍 |
| 地址： | 432000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 复合材料 快速 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种C/SiC复合材料快速制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)将针刺编制体CVD镀层处理得到预处理坯料，镀层处理5～10小时；
2)取二甲苯和聚碳硅烷置于烧杯中升温至完全溶解，配制得到第一前驱体，二甲苯和聚碳硅烷的质量比为1:1；
3)将预处理坯料用第一前驱体浸渍，将浸渍之后的预处理坯料在120～150℃下保温2～5h；最后，将保温后的预处理坯料放入裂解炉中在真空状态下裂解；将预处理坯料在真空状态下用温度为50～60℃的第一前驱体浸渍3～8h，且裂解的温度为1100～1300℃、裂解时间为1～2h；
4)重复步骤3)4～6次，得到C/SiC坯料；
5)选用含乙烯基全氢聚碳硅烷作为第二前驱体；将C/SiC坯料用第二前驱体浸渍，将浸渍之后的C/SiC坯料在120～150℃保温2～3h；最后，将C/SiC坯料放入裂解炉中在真空状态下裂解；将C/SiC坯料在真空状态下用温度为50～60℃的第二前驱体浸渍3～8h，且裂解的温度为1000～1100℃、裂解时间为1～2h；
6)重复步骤5)4～6次，得到C/SiC复合材料。
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