[发明专利]钝化层的处理方法和设备有效
申请号: | 202010756248.6 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111696861B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 张宇;吴长明;冯大贵;欧少敏;王玉新;蒋志伟 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;H01L21/56;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钝化 处理 方法 设备 | ||
1.一种钝化层的处理方法,其特征在于,包括:
提供一晶圆,所述晶圆上形成有钝化层,所述钝化层包括聚酰亚胺;
对所述晶圆上的钝化层进行灰化处理以提高所述钝化层的疏水性,所述灰化处理的反应气体包括氧气和氮气,所述灰化处理的温度小于250摄氏度;
对所述灰化处理后的钝化层进行湿法剥离处理。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述对所述晶圆上的钝化层进行灰化处理,包括:
将所述晶圆放置于灰化设备的载片台的突起结构上对所述晶圆进行所述灰化处理,所述灰化设备上设置有至少三个所述突起结构。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述突起结构的高度大于10毫米。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述灰化处理的功率为1000瓦至2000瓦。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在将所述晶圆放置于灰化设备的载片台的突起结构上,还包括:
在所述晶圆上形成所述钝化层;
对所述钝化层进行热处理使固化。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述对所述钝化层进行热处理使固化,包括:
在炉管中对所述钝化层进行所述热处理。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述热处理的温度为300摄氏度至400摄氏度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造