[发明专利]钝化层的处理方法和设备

说明书

本申请公开了一种钝化层的处理方法和设备，该方法包括：提供一晶圆，晶圆上形成有钝化层；对晶圆上的钝化层进行灰化处理以提高钝化层的疏水性，灰化处理的反应气体包括氧气和氮气；对灰化处理后的钝化层进行湿法剥离处理。本申请通过使用包含氧气和氮气的反应气体对晶圆上的钝化层进行灰化处理以提高钝化层的疏水性，因此降低了表面钝化层的减薄速度，解决了相关技术中对钝化层进行处理由于使钝化层损失较多所导致的钝化层的保护效果较差的问题，提高了器件的稳定性和制造良率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种钝化层的处理方法和设备。

背景技术

在半导体制造业中，可使用钝化层(例如聚酰亚胺(polymide)，其具有类似光阻的特性，可以通过曝光和显影形成图形)作为减少应力的缓冲层以保护器件。通常，钝化层经过光刻后经过高温处理会固化成坚固的薄膜留在晶圆表面，将晶圆与外部环境隔绝，起到钝化保护的作用。

钝化层的材料为有机物，内部存在较多的氢键，氢键容易与水分子中的氧结合，因此会表现出亲水性，而钝化层主要作用是隔绝晶圆与外部环境。鉴于此，相关技术中，在钝化层形成后，会通过离子束对其进行处理以提高其疏水性。

然而，通过离子束对钝化层进行处理会使钝化层损失过多，厚度减小，降低了钝化层的保护效果，从而导致器件的稳定性较差。

发明内容

本申请提供了一种钝化层的处理方法和设备，可以解决相关技术中采用离子束对钝化层的表面进行处理所导致的器件稳定性较差的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种钝化层的处理方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆上形成有钝化层；

对所述晶圆上的钝化层进行灰化(ash)处理以提高所述钝化层的疏水性，所述灰化处理的反应气体包括氧气(O₂)和氮气(N₂)；

对所述灰化处理后的钝化层进行湿法剥离处理。

可选的，其特征在于所述对所述晶圆上的钝化层进行灰化处理，包括：

将所述晶圆放置于灰化设备的载片台的突起结构上对所述晶圆进行所述灰化处理，所述灰化设备上设置有至少三个所述突起结构。

可选的，所述突起结构的高度大于10毫米(mm)。

可选的，所述灰化处理的温度小于250摄氏度(℃)。

可选的，所述灰化处理的功率为1000瓦(W)至2000瓦。

可选的，所述钝化层包括聚酰亚胺。

可选的，在将所述晶圆晶圆放置于灰化设备的载片台的突起结构上，还包括：

在所述晶圆上形成所述钝化层；

对所述钝化层进行热处理使固化。

可选的，所述对所述钝化层进行热处理使固化，包括：

在炉管中对所述钝化层进行所述热处理。

可选的，所述热处理的温度为300摄氏度至400摄氏度。

另一方面，本申请实施例提供了一种灰化设备，所述设备用于包含氧气和氮气的反应气体对所述晶圆上的钝化层进行灰化处理以提高所述钝化层的疏水性。

可选的，所述设备包括载片台，所述载片台上设置有至少三个突起结构。

可选的，所述突起结构的高度大于10毫米。

本申请技术方案，至少包括如下优点：