[发明专利]半导体装置以及存储器系统

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，

具备具有第1动作模式以及第2动作模式的调节器；

所述调节器包括：

第1晶体管，一端连接于电源电压布线，另一端连接于输出端子；

第1电阻元件，一端连接于所述第1晶体管及所述输出端子；

第2电阻元件，一端连接于所述第1电阻元件的另一端，另一端连接于接地电压布线；

第1电路，连接于所述第1晶体管的栅极，向所述第1晶体管的栅极施加第1电压，所述第1电压是与参照电压和被所述第1电阻元件及所述第2电阻元件分压后的输出电压的差分相应的电压，所述第1动作模式中的第1偏置电流小于所述第2动作模式中的第2偏置电流；

第1电容器元件，一个电极连接于所述输出端子；以及

第2电路，连接于所述第1电容器元件的另一个电极，并构成为，在所述第1动作模式时，不将所述第1电路与所述第1电容器元件电连接且向所述第1电容器元件施加第2电压，在所述第2动作模式时，将所述第1电路与所述第1电容器元件电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第2电压是基于在所述第2动作模式时被施加到所述第1电容器元件的第3电压的电压。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1电路包括第2晶体管，该第2晶体管的源极连接于所述接地电压布线，在所述第2动作模式时，漏极经由所述第2电路而连接于所述第1电容器元件的另一个电极；

所述第2电压为所述第2晶体管能够动作的漏极电压以上。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第2电路在所述第1动作模式时，将所述电源电压布线与所述第1晶体管的所述栅极电连接。

5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述调节器还包括第5电路，该第5电路构成为，在从所述第1动作模式向所述第2动作模式切换的切换期间，使得所述第1电路中流过比所述第2偏置电流大的第3偏置电流。

6.一种半导体装置，其中，

具备具有第1动作模式以及第2动作模式的调节器；

所述调节器包括：

第1晶体管，一端连接于电源电压布线；

第1电阻元件，一端连接于输出端子；

第2电阻元件，一端连接于所述第1电阻元件的另一端，另一端连接于接地电压布线；

第1电路，输出第1电压，所述第1电压为与参照电压和被所述第1电阻元件及所述第2电阻元件分压后的输出电压的差分相应的电压，所述第1动作模式中的第1偏置电流小于所述第2动作模式中的第2偏置电流；

第1电容器元件，一个电极连接于所述第1电路，另一个电极连接于所述输出端子；以及

第2电路，构成为，在所述第1动作模式时，不将所述第1电路与所述第1晶体管的栅极电连接，不将所述第1晶体管的另一端与所述输出端子电连接，并且向所述第1晶体管的所述栅极施加第2电压，在所述第2动作模式时，将所述第1电路与所述第1晶体管的所述栅极电连接，并且将所述第1晶体管的所述另一端与所述输出端子电连接。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第2电压与在所述第2动作模式时向所述第1晶体管的所述栅极施加的所述第1电压相同。

8.如权利要求6或7所述的半导体装置，其中，

所述调节器还包括第3电路，该第3电路构成为，包括一端连接于所述输出端子的第3电阻元件，在所述第1动作模式时，不将所述第3电阻元件的另一端与所述接地电压布线电连接，在所述第2动作模式时，将所述第3电阻元件的所述另一端与所述接地电压布线电连接。

9.如权利要求6或7所述的半导体装置，其中，

所述调节器还包括第4电路，该第4电路包括：

一个电极连接于所述电源电压布线的第2电容器元件；以及

一端连接于所述第2电容器元件的另一个电极，另一端连接于所述第1晶体管的所述栅极的第4电阻元件。