[发明专利]一种半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法

权利要求书

1.一种半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、树脂砂喷砂

将待再生的阳极氧化部件的保护气孔和冷却管接口进行保护后，用重力喷砂枪和树脂砂对部件进行喷砂去膜，压力设定1.5-2.5kg/cm²，树脂砂型号为30-50目，喷砂枪与部件间的间隔在10-20cm之间，角度在45-90°之间；

B、百洁布打磨

用适宜型号的百洁布对喷砂后的部件表面进行打磨处理，并借助于小型气动工具对部件的残膜进行精细化去除，以部件表面能均匀形成一层水膜为基准；

C、超声波清洗

喷砂打磨后的阳极氧化部件被搬运至预定规格的无尘室中进行超声波清洗，超声波频率为40～80KHz，超声波清洗时间为15～20min，而后采用超纯水冲洗，并用氮气吹干；

D、干燥

吹干后的部件放至无尘烘箱内，先100～105℃进行加热干燥，冷却后进行无尘包装。

2.根据权利要求1所述的半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，其特征在于：

其中，步骤A中，所述保护气孔和冷却管接口采用胶带进行保护。

3.根据权利要求1所述的半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，其特征在于：

其中，步骤A中，当压力设定为1.5kg/cm²时，树脂砂型号选择30-40目，部件与喷砂枪的间隔在10cm，角度为45°。

4.根据权利要求1所述的半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，其特征在于：

其中，步骤A中，当压力设定为2.5kg/cm²时，树脂砂型号选择40-50目，部件与喷砂枪的间隔在20cm，角度为90°。

5.根据权利要求1所述的半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，其特征在于：

其中，步骤B中，采用3M7447#以及7448#百洁布对喷砂后的部件表面进行打磨处理。

6.根据权利要求1所述的半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，其特征在于：

其中，步骤B中，小型气动工具选用耐威5”气动砂光机；工作气压：3-4kgf/cm²。

7.根据权利要求1所述的半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，其特征在于：

其中，步骤C中，预定规格的无尘室为100级无尘室。

8.根据权利要求1所述的半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，其特征在于：

其中，步骤C中，超纯水冲洗时间为2min。

9.根据权利要求1所述的半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，其特征在于：

其中，步骤D中，吹干后的部件先在无尘烘箱内100℃加热干燥，恒温时间设定为120min，程序结束后冷却至40℃以下时，开箱进行无尘包装。