[发明专利]一种半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法

说明书

本发明涉及半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，包括步骤：A、树脂砂喷砂：将待再生阳极氧化部件的气孔和接口保护后，用重力喷砂枪和树脂砂对部件进行喷砂去膜，压力设定1.5‑2.5kg/cm²，树脂砂为30‑50目，喷砂枪与部件间隔在10‑20cm之间，角度在45‑90°之间；B、百洁布打磨：用适宜型号的百洁布对喷砂后部件表面打磨处理，并借助于小型气动工具对部件的残膜进行精细化去除，以部件表面能均匀形成一层水膜为基准；C、超声波清洗：喷砂打磨后的阳极氧化部件被搬运至预定规格的无尘室中进行超声波清洗，超声波频率为40～80KHz，超声波清洗时间为15～20min，而后用超纯水冲洗，并用氮气吹干；D、干燥：吹干后的部件放至无尘烘箱内，先100～105℃进行加热干燥，冷却后进行无尘包装。

技术领域

本发明属于半导体设备零件修复再生技术领域，具体涉及一种半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法。

背景技术

半导体集成电路制造技术持续快速发展，其制程正加速朝着细微化、高密度化和高集成化方向发展。半导体制造设备中的ETCH制程是芯片制造过程中必不可少的一环，干刻机设备在生产过程中，其表面逐渐沉积一层聚合物、有机附着物等，这些污染物会在运行过程中脱落，或者是因其存在造成后续粘附力不足，在腔体内形成particle，造成不良，因此，半导体加工零件的表面状态以及洁净程度变得非常重要。

金属铝因其密度小、易成形的属性，加工的部件在半导体领域应用极为广泛，而通过对铝部件进行阳极氧化和着色处理可显著改善铝材质部件的金属特性。铝阳极氧化部件具有更好的耐光性、耐热性、耐蚀性及耐磨性，并具有防静电的功能。作为半导体行业大批量使用的设备部件，铝阳极氧化部件采购成本高昂，导致不可能频繁更换，则需要通过清洗进行再生，重复投入使用。

干刻设备中，受聚合物、有机附着物等沉积的影响，阳极氧化部件的受污染频率较高，再生处理的频次也较大。现阶段采用有机溶剂长时间浸泡方式剥离沉积膜层，有机溶剂溶解和渗透部件上的沉积膜，使沉积膜溶解或脱落。此工艺能满足设备的基本需求，但有以下几个问题的存在，使其渐渐的不能适应快速发展的半导体行业。1、因在制程中有弱酸的存在，长时间浸泡条件下，溶剂中酸浓度越来越高，部件会发生腐蚀现象，缩短部件的使用寿命；2、溶剂安全风险高，有机溶剂易燃易爆易挥发，存在极大的安全隐患；3、废弃溶剂的处理成本高，要求高，已经不能适应现阶段环保的要求。

发明内容

本发明是为解决上述不足进行的，提供了一种环保安全的半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法。

本发明的技术改进原理如下：本发明采用物理方式对阳极氧化部件进行再生，包括树脂喷砂、百洁布打磨、超声波清洗以及干燥四道再生工序，通过该再生方法，实现阳极氧化部件的重复利用。为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

本发明提供的半导体用干刻设备中阳极氧化部件的再生方法，包括如下步骤：

A、树脂砂喷砂：将待再生的阳极氧化部件的保护气孔和冷却管接口进行保护后，用重力喷砂枪和树脂砂对部件进行喷砂去膜，压力设定1.5-2.5kg/cm²，树脂砂型号为30-50目，喷砂枪与部件间的间隔在10-20cm之间，角度在45-90°之间；

B、百洁布打磨：用适宜型号的百洁布对喷砂后的部件表面进行打磨处理，并借助于小型气动工具对部件的残膜进行精细化去除，以部件表面能均匀形成一层水膜为基准；

C、超声波清洗：喷砂打磨后的阳极氧化部件被搬运至预定规格的无尘室中进行超声波清洗，超声波频率为40～80KHz，超声波清洗时间为15～20min，而后采用超纯水冲洗，并用氮气吹干；

D、干燥：吹干后的部件放至无尘烘箱内，先100～105℃进行加热干燥，冷却后进行无尘包装。